2006 Fiscal Year Annual Research Report
エキシトン機構によるナノ構造室温超伝導体の創製とテラヘルツ素子プロトタイプの作製
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18560314
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Nihon University |
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Principal Investigator |
山本 寛 日本大学, 理工学部, 教授 (90130632)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岩田 展幸 日本大学, 理工学部, 講師 (20328686)
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| Keywords | 室温超伝導 / ナノ構造 / エキシトン / テラヘルツ / 超薄膜界面 |
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| Research Abstract |
ナノ構造金属/誘電体界面におけるエキシトン室温超伝導系の理論的解析を行った。金属として金、誘電体としてπ電子を豊富に持つC_<60>誘導体とC_<60>の単分子膜からなる低次元ナノ構造が有望であることを示した。
金超薄膜/C_<60>界面に着目したナノ構造室温超伝導モデル物質系を作製した。単結晶MgO、SrTiO_3、Al_2O_3を酸素フロー中、700℃〜1000℃にて熱処理を行って表面の清浄化後、ステップ・テラス構造を形成し、そのステップに沿って金粒子細線形成後、C_<60>誘導体ベンゼン溶液中へ作製した金超薄膜を浸積し、C_<60>誘導体単分子膜を自己組織的に形成した。得られた試料の表面を原子間力顕微鏡にて観察評価し、ほぼ所望の構造が作製されたことを明らかにした。
試料の基礎物性評価と抵抗異常測定ならびに室温超伝導を検証することを試みた。現在までのところ、超伝導的抵抗の変化を確認することには成功していない。しかし、ナノスケールでの電気伝導特性の温度依存性を精密測定することを目指した、収束イオンビーム膜堆積法を用いるミクロ電極作製プロセスを開発した。電極間隔約2μmの電極作製に成功した。このミクロ電極を用い、基板のステップライン方向ならびに垂直方向に対し、電気抵抗率を4端子測定法により精密に測定中である。
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[Journal Article] I_cR_n product of YBa_2Cu_3O_7-xramp-edge junctions at temperature higher than 30K2006
Author(s)
Y.Morimoto, Y.Tarutani, H.Wakana, S.Adachi, K.Tsubone, Y.Ishimaru, K.Nakayama, Y.Oshikubo, O.Horibe, N.Iwata, H.Yamamoto, K.Tanabe
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Journal Title
Physica C 445-448
Pages: 904-907
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