2007 Fiscal Year Annual Research Report
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18560317
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| Research Institution | Daido Institute of Technology |
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Principal Investigator |
神保 睦子 Daido Institute of Technology, 工学部, 教授 (00115677)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
藤原 裕司 三重大学, 工学部, 助教 (90301225)
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| Keywords | スピンエレクトロニクス / データストレージ / 電子・電気材料 |
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| Research Abstract |
昨年度に引き続き,グラニュラ膜のTMR効果を検討した。昨年度は,複合ターゲットを用いて作製したが,今年度は基盤公転機構を持つスパッタ装置を立ち上げ,磁性層と絶縁層を多層にした試料を作製してTMR特性を検討した。検討した内容は,作製方法の違いによるTMR比,抵抗率,粒径の大きさ,結晶構造等である。その結果,複合ターゲットを用いて作製した試料より多層構造で作製した試料の方が抵抗率が高く,またより広範囲の抵抗率に対して大きなMR比が得られることが分かった。さらに,試料の構造をTEMで詳細に評価したところ,グラニュラ膜でもMg0は結晶化しており,結晶性の良い試料で大きなMR比が得られることが分かった。
また,従来からの金属膜を使った3端子構造の素子では,歩留まり良くショットキー接合を作製することができるようになり定量的にデータを取ることが可能となった。そのため,ホットエレクトロン伝導特性も定量的に取れるようになり,べース層の材料の違い,厚さの違いがどのように反映されるかを検討した。特に,CCP-GMRでは,bcc構造を持つFeCo合金,さらにそれにCuやA1を添加するとMR効果が高くなると報告されているが,それがホットエレクトロンに対して適用できるかということを現在検討中である。また,微小な金属/半導体界面でのスピン依存伝導を調べるために微小な金属/半導体界面の作製法を考慮中である。
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