2007 Fiscal Year Annual Research Report
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18560344
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
本田 徹 Kogakuin University, 工学部, 教授 (20251671)
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| Keywords | 窒化物半導体 / GaN / 半導体 / 発光素子 / 面発光 / 集積 / ディスプレイ / 分子線エピタキシー |
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| Research Abstract |
集積型GaN系紫外発光素子の試作を(1)化合物分子線堆積法による低温堆積技術を用いた薄膜型エレクトロルミネッセンス素子(TF-ELD)および(2)有機金属気相成長法により製作したGaN薄膜を利用したショットキー型紫外発光ダイオード(ST-LED)を平成18年度に引き続き検討を行った。
TF-ELDについては、ガラス基板およびAl基板上に素子製作を行った結果、放熱性が寿命に大きく影響を与えることとともに、低温堆積ではあるが、非晶質よりも多結晶に近卵方が発光特性向上につながる可能性を見いだした。詳しい検討を平成20年度に行う。
また、ST-LEDについては、発光がインパクトイオナイゼーションにより起こるモデルを提案した。本素子についても発熱の影響が非常に発光特性、特に出力に与えることが明らかとなった。出力の制限要因は、発光に寄与しないGaN層の吸収であることも明らかになった。このため、平成20年度は、紫外発光領域に透明なMgZnO電極の検討と電極側からの光出射を検討する。MgZnO電極の形成方法は、低コストに製作できるスピンコート法を利用する。また、発光領域とそれ以外の部分の3次元組成変化構造の基礎検討も併せて行う。
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