2006 Fiscal Year Annual Research Report
新規なコンビナトリアル・スパッタ成膜法を用いるEL素子用蛍光体薄膜の開発
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18560704
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
宮田 俊弘 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30257448)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
南 内嗣 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70113032)
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| Keywords | 薄膜 / EL素子 / コンビナトリアル / スパッタリング / 蛍光体 |
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| Research Abstract |
フラットパネルディスプレイやランプへの応用を目的として、無機薄膜エレクトロルミネッセント(EL)デバイスが古くから研究されているが、実用化には至っていない。これは、実用に十分な性能(輝度、発光効率および色純度等)を有するELデバイス用蛍光体薄膜を実現できていないことに起因する。本研究の目的は、実用に十分な性能を有する新規なELデバイス用蛍光体薄膜を、申請者らが提案し、開発に成功した新規な薄膜作製技術であるコンビナトリアル・スパッタリング法を駆使して実現することにある。具体的には、申請者らが長年ELデバイス用蛍光体薄膜研究を続けてきた中から開発に成功した化学的に安定で環境に易しい特徴を持つ酸化物系蛍光体、近年薄膜EL素子用蛍光体として報告されている窒化物系蛍光体及び古くから薄膜EL素子用蛍光体として研究されている硫化物系蛍光体において、これまでにない新規な材料を本コンビナトリアル・スパッタリング成膜技術を駆使することにより期間内に実現する。
本年度はコンビナトリアルスパッタリング法により、多元系蛍光体薄膜を作製する成膜技術を確立した。高輝度緑色発光多元系酸化物薄膜であるZn_2Si_xGe_<1-x>O_4:Mn薄膜の構成元素の組成及び発光中心材料であるMnの添加量を変化させた薄膜をそれぞれ1回の成膜プロセスで作製できた。上記材料に加えて、高輝度発光の期待できる酸化ガリウム(Ga_2O_3)-酸化錫(SnO_2)系、酸化ガドリニウム(Gd_2O_3)-酸化バナジウム、(V_2O_5)系、酸化イットリウム(Y_2O_3)-酸化錫(SnO_2)系の各種多元系酸化物蛍光体薄膜のコンビナトリアルスパッタリング成膜技術を確立した。以上のことから、本年度の研究目標は十分に達成できた。
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Research Products
(1 results)
