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2007 Fiscal Year Annual Research Report

バルク多結晶組織アーキテクチュアに向けた結晶成長技術開発と高効率太陽電池への応用

Research Project

Project/Area Number 18686001
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

宇佐美 徳隆  Tohoku University, 金属材料研究所, 准教授 (20262107)

Keywordsシリコンバルク多結晶 / 結晶方位 / 粒界 / 亜粒界 / 太陽電池
Research Abstract

複数のシリコン単結晶から構成される粒界構造を規定した複合種結晶を利用して、成長初期の多結晶組織が、成長条件や、種結晶の組織に依存して、結晶成長過程でどのように変化するかを系統的に調べた。高い角度分解能を有するX線回折法を用いて粒界構造の評価を行ったところ、粒界を挟んでロッキングカーブのピーク位置が変化する様子が観測された。これに、結晶成長過程において、微細な粒界構造変化生じ、粒界近傍の結晶方位が変化することを示している。この結晶方位の変化は、転位もしくは歪みに由来すると考えられるが、エッチピット観察により、多数の転位、さらには転位が集合した亜粒界の存在を確認した。さまざまな構造の種結晶に対して同様の評価を行った結果、結晶成長に伴う、粒界構造変化、転位・亜粒界発生の程度と方向は、粒界構造に強く依存していることがわかった。
等方的な歪みを結晶外周に加えた際の、粒界近傍の{111}すべり面にはたらくせん断応力の方向と大きさを有限要素法により求め、実験結果と比較したところ、大きなせん断応力が予想される粒界構造において、大きな結晶変形(亜粒界発生)が見られ、両者に明確な相関が確認できた。同様に、すべり面上のせん断応力の方向と、結晶変形の方向にも相関が確認された。したがって、結晶成長過程での亜粒界発生の原因は、粒界近傍に働くせん断応力であるといえる。亜粒界は、微視的に見れば転位の集合体であり、光励起キャリアの再結合中心となる。太陽電池の高効率化に向けては、本研究で得られた知見に基づいて亜粒界発生を抑制可能な結晶成長技術の開発が必要である。

  • Research Products

    (12 results)

All 2008 2007

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 5 results) Presentation (4 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Poly-Si film with long carrier lifetime prepared by rapid thermal annealing of Cat-CVD amorphous silicon thin films2008

    • Author(s)
      K. Ohdaira, Y. Abe, M. Fukuda, S. Nishizaki, N. Usami, K. Nakajima, T. Karasawa, T. Torikai, and H. Matsumura
    • Journal Title

      Thin Solid Films 516

      Pages: 600-603

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Formation mechanism of parallel twins related to Si-facetted dendrite growth2007

    • Author(s)
      K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose and K. Nakajima
    • Journal Title

      Scripta Materialia 57

      Pages: 81-84

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved X-ray rocking curve analysis2007

    • Author(s)
      N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • Journal Title

      J. Appl. Phys. 102

      Pages: 103504-1 103504-4

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High-quality poly-crystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5μs formed by flash lamp annealing of precursor amorphous Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition2007

    • Author(s)
      K. Ohdaira, S. Nishizaki, Y, Endo, T. Fujiwara, H. matsumura, N. Usami, and K. Nakajima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      Pages: 7198-7203

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] A new technique for quantitative analysis of sub-grain boundary density and its influence on minority carrier diffusion length in bulk multicrystalline silicon2007

    • Author(s)
      Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami, Tsuyoshi Ohtaniuchi, Kozo Fujiwara, Yoshitaro Nose, and Kazuo Nakajima
    • Journal Title

      Proceedings of 22nd Europena Photovoltaic Solar Energy Conference

      Pages: 1371-1373

  • [Journal Article] Structutal modification in multicrystalline Si during directional solidification revealed by spatially resolved X-ray rocking curve analysis2007

    • Author(s)
      Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, and Kazuo Nakajima
    • Journal Title

      Proceedings of 22nd Europena Photovoltaic Solar Energy Conference

      Pages: 1104-1105

  • [Journal Article] シリコンバルク多結晶太陽電池の粒界設計に向けて2007

    • Author(s)
      沓掛 健太朗、宇佐美 徳隆、藤原 航三、中嶋 一雄
    • Journal Title

      マテリアル インテグレーション 20

      Pages: 31-36

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Fundamental study toward engineering of microstructures in Si multicrystals (Invited)2008

    • Author(s)
      N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
    • Organizer
      4th Workshop on the Future Directions of Photovoltaics
    • Place of Presentation
      Tokyo
    • Year and Date
      2008-03-06
  • [Presentation] Fundamental study on Si melt growth toward engineering of microstructures in multicrystalline Si (Invited)2008

    • Author(s)
      N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • Organizer
      Mini PV conference
    • Place of Presentation
      Trondheim, Norway
    • Year and Date
      2008-01-09
  • [Presentation] Si-based crystals for photovoltaic and photonic applications (Invited)2007

    • Author(s)
      N. Usami
    • Organizer
      日仏ジョイントフォーラム
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      2007-12-13
  • [Presentation] Spatially resolved X-ray rocking curve analysis as a tool to invesitagtelocal structures in Si multicrystals (Invited).2007

    • Author(s)
      N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • Organizer
      The second international workshop on science and technology of crystalline Si solar cells
    • Place of Presentation
      Xiamen, China
    • Year and Date
      2007-12-10
  • [Patent(Industrial Property Rights)] Si結晶インゴットの製造方法2007

    • Inventor(s)
      中嶋 一雄、宇佐美 徳隆
    • Industrial Property Rights Holder
      国立大学法人東北大学
    • Industrial Property Number
      特願2007-336605
    • Filing Date
      2007-12-27

URL: 

Published: 2010-02-04   Modified: 2016-04-21  

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