2008 Fiscal Year Final Research Report

Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN

Research Project

Project/Area Number	18686051
Research Category	Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Research Field	Physical properties of metals
Research Institution	Japan Fine Ceramics Center
Principal Investigator	KATO Takeharu Japan Fine Ceramics Center, ナノ構造研究所, 主任研究員 (90399600)
Project Period (FY)	2006 – 2008
Keywords	電子線ホログラフィー / ショットキー障壁 / 電位分布 / 金属 / 半導体界面 / FIB
Research Abstract	金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。