2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of semiconductor nano-spintronics device simulator based on atomistic material parameters
| Project/Area Number |
18749006
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Field |
Condensed matter physics I
|
|---|
| Research Institution | Kobe University |
|---|
Principal Investigator |
SOUMA Satofumi Kobe University, 大学院工学研究科, 准教授 (20432560)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2006 – 2008
|
| Keywords | 半導体 / 物性理論 / 量子閉じ込め / スピンエレクトロニクス / 半導体物性 |
|---|
| Research Abstract |
近年の高度情報化社会の急速な発展を支えて来たシリコントランジスタの限界を超えるアプローチの一つに,電子のスピン自由度を利用した新しいエレクトロニクス-半導体スピントロニクス-がある.
そのような半導体スピントロニクス素子の開発において具体的な設計指針を与えるような,原子レベルの材料特性に基いた信頼性のあるシミュレータの開発を行った.
それを用いて,スピントロニクス材料の一つである狭ギャップ半導体を用いた素子,及びグラフェンナノリボン素子のシミュレーションを行い,それらにおける特性を明らかにした.
|
