2007 Fiscal Year Annual Research Report
レーザー補助広角3次元アトムプローブの開発と実デバイスの3次元原子レベル解析
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18GS0204
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
尾張 真則 The University of Tokyo, 環境安全研究センター, 教授 (70160950)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
谷口 昌宏 金沢工業大学, 環境・建築学部, 准教授 (30250418)
野島 雅 東京理科大学, 総合研究機構, 講師 (50366449)
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| Keywords | アトムプローブ / 電界蒸発 / パルスレーザー / 収束イオンビーム加工 / 微小引出し電極 / 超高真空 / シミュレーション / 質量分析 |
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| Research Abstract |
5年計画の第2年次として、以下の各項目について研究を行った。
1.FIB加工による実デバイスからのサンプリング方法の検討:収束イオンビーム(FIB)加工によるアトムプローブ試料の作製法として広く用いられている円形ビーム走査法の問題点を解決するために、新たにサンプリング後で加工前の棒状試料の斜め後ろからビームを照射し、試料を回転させながら針状試料に加工する方法を提案し、その実施方法を開発した。
2.レーザー補助電界蒸発機構の棟討:レーザー補助電界蒸発を行って得られる質量スペクトルについて過去の報告と比較した結果、フェムト秒レーザーをトリガーとした場合においても熱効果が存在することを示唆する結果が得られた。一方、試料軸とレーザー偏光面を平行にした場合と垂直にした場合で得られるスペクトルが明らかに異なることより、フェムト秒レーザーによる電界変調が電界蒸発に大きな寄与を持つことも明らかとなった。
3.3次元原子配列再構築アルゴリズムの開発:施策装置から得られたデータをもとに3次元原子配列を再構築するプログラムを作成した。その際、検出位置に依存した飛行距離の補正、検出器のアライメントのわずかなずれの補正が重要であることが明らかとなった。
4.微小引出し電極の最適化:FIB装置を用いて精密な形状制御をした微小電極を作成し、安定した特性の電界蒸発を実現することができた。
5.公開シンポジウムの開催:平成19年10月28日〜11月2日に金沢市で開催された6th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices'07において本研究の成果を6件発表し、内外の多数の研究者と幅広い学術交流を実施した。内容は、2008年度に論文として雑誌に掲載される。
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Research Products
(11 results)
