2021 Fiscal Year Final Research Report
Growth of GaN-based devices on metal and glass substrates using layered BN
Project/Area Number |
18H01886
|
Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
|
Research Institution | Hirosaki University |
Principal Investigator |
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岡本 浩 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)
中澤 日出樹 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (90344613)
小豆畑 敬 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20277867)
|
Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2022-03-31
|
Keywords | 半導体 / 結晶成長 / 半導体物性 |
Outline of Final Research Achievements |
We grew hexagonal boron nitride (h-BN) thin films on glass substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) and determined the thicknesses of the films (39 and 2 nm) by fitting their measured X-ray reflectance with a two-layer model. The 39-nm-thick film showed a clear peak of Raman active mode. The 39- and 2-nm-thick films exhibited a clear peak of infrared active mode. Atomic force microscopy images revealed that both h-BN films had atomically smooth surfaces. These results suggest that MBE can grow h-BN thin films on glass substrates.
|
Free Research Field |
工学
|
Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
ガラス基板は、GaN系デバイス構造に使われるサファイア基板と比較して、大面積化が可能であり、経済的に安価であり、GaN系デバイス構造の適用範囲を大きく広げると期待される。しかしながら、ガラス基板上に単結晶GaN系デバイス構造を成長することは、一般的に困難である。今回、我々はそのガラス基板上に分子線エピタキシー法により、六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜が成長することを見出した。今後、このh-BN薄膜をバッファ層としてこのh-BNバッファ層上に単結晶GaNデバイス構造が成長する可能性がある。
|