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2019 Fiscal Year Annual Research Report

Clarification of the guideline to improve SiC MOSFET performance based on the structural deformation analysis near the thermally-oxidized interface

Research Project

Project/Area Number 18H03771
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

喜多 浩之  東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (00343145)

Project Period (FY) 2018-04-01 – 2021-03-31
Keywords電子・電気材料 / パワーデバイス / SiC / MOSFET / イオン打ち込み / 格子歪み / 熱処理
Outline of Annual Research Achievements

1)熱酸化で形成するSiC MOS界面の欠陥密度は水蒸気雰囲気中の熱処理で改善できるが,同時に酸化膜中に新たな欠陥構造が導入されて信頼性が低下するという課題があった。既に効果を実証した~800℃での低温水蒸気雰囲気中での熱処理に代えて,濃度を~数%に希釈した水蒸気雰囲気中で1300℃の高温短時間とした条件を検討したところ,価電子帯近傍で界面準位密度が大幅に減少するのと同時に,遅い時定数を持つ膜中欠陥の劇的な抑制が可能であることが判明した。熱力学的には水蒸気と炭素の反応が低温ではCO2,高温ではCOを生成し易いという違いがあり,水蒸気による欠陥構造の抑制には処理温度が重要な因子となる。
2)前年度までに,熱酸化反応後にSiCウェハ表面近傍の構造が大きく歪む現象をIn-plane XRD測定から把握していた。その原因の理解のため,歪みの大きさの異なるSiCの赤外光の全反射減衰スペクトルを調査したところ,熱酸化後及び酸素イオン打ち込み+熱処理後のウェハの表面付近には微弱ながらSi-O,C-O,C=Oに帰属可能な赤外吸収ピークが検出され,しかもそれらのピークの強度は,SiC表面でXRDによって観察される歪みの大きさとよく相関することを発見した。SiC中に侵入した酸素原子が内部で高密度に欠陥構造を形成し,格子を歪ませる現象であると解釈すると説明が可能である。
3) SiCのMOS界面特性は結晶面によって大きく異なり,各面の特性制御指針の違いを明確化することは本研究の重要な課題の1つである。NOアニールによる界面の窒素パッシベーションに伴うSiO2/SiCバンドアライメントの変化の挙動が (0001),(000-1),(11-20)の3者で異なり,さらに,この違いがMOSキャパシタのリーク電流に強く影響することを明確化した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本研究の根幹であるMOS界面の特性を変えるためのプロセスの検討に進展があり,特に水蒸気を用いる熱処理の条件を変える効果の検証が進み,これらのプロセスによる界面構造の違いの解析へ展開している。
構造歪みとMOSFET特性の関係の明確化のための,機械的な歪みを意図的に与える実験に加え,種々プロセスがバンドアライメントに与える効果の面方位による違いを調査する実験も新たに進行中であり,次年度のうちに重要な事項の検討が進展する目途が得られた。

Strategy for Future Research Activity

水蒸気アニール処理や界面窒化処理などの界面特性を改善するプロセスによる,界面歪みや電子構造などの物理的な変化と,界面近傍での欠陥準位の増減との相関の検討に加えて,本研究で新たに発見したプロセス起因のバンドアライメントの変化についても明確化を目指す。特に,SiCの結晶面方位によって生じる違いは重要な知見となるものであると考え,その点に着目した検討を行う。
界面近傍の欠陥準位の評価においては,当初から予定していた波長を制御した光照射下でのバイアス印加によってエネルギー的に深い準位の電荷捕獲を評価する手法だけでなく,測定温度によって各準位への捕獲の時定数が大きく変わることに着目して,測定温度を液体窒素温度から高温まで様々に変えて,幅広い時定数の捕獲準位を区別しながら評価する手法を適用する。
また,界面近傍の構造歪み量の評価には引き続き斜入射のX線回折による解析を用いるが,その観察対象を従来よりも広げ,特に従来より標準的なパッシベーション手法として用いられてきた界面窒化後の界面や,水素によるSiC表面エッチング反応後の界面についての調査を行う。

  • Research Products

    (30 results)

All 2020 2019 Other

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 6 results) Presentation (23 results) (of which Int'l Joint Research: 9 results,  Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Impacts of density of deposited dielectric films on temperature dependence of interface dipole layer in multilayered dielectric capacitors for energy harvesting2020

    • Author(s)
      Takashi Hamaguchi and Koji Kita
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 59 Pages: SMMA05-1~-5

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab8bbe

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC (0001) and (000-1) MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin2020

    • Author(s)
      Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 116 Pages: 122103-1~-4

    • DOI

      10.1063/1.5135606

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Physical analysis of remained oxidation byproducts as the origins of lattice distortion at the surface of 4H-SiC by Fourier-transform infrared spectroscopy2020

    • Author(s)
      Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 59 Pages: SMMA02-1~-5

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab7fe9

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Significant reduction of interface trap density of SiC PMOSFETs by post-oxidation H2O annealing processes with different oxygen partial pressures2020

    • Author(s)
      Jun Koyanagi, Mizuki Nishida and Koji Kita
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 59 Pages: SMMA06-1~7

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab8e1f

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Study on the Effects of Post-Deposition Annealing on SiO2/β-Ga2O3 MOS Characteristics2019

    • Author(s)
      Koji Kita, Eiki Suzuki, and Qin Mao
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 92 (1) Pages: 59-63

    • DOI

      10.1149/09201.0059ecst

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Similarity and difference of the impact of ion implantation and thermal oxidation on the lattice structure of 4H-SiC (0001) surface2019

    • Author(s)
      Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 12 Pages: 085507-1~5

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab30d4

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Insulating Ga2O3 layer formation at SiO2/β-Ga2O3 interface during oxygen annealing at 1000℃ and its impact on Ga2O3 MOS interface characteristics2020

    • Author(s)
      Qin Mao and Koji Kita
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Al2O3/SiO2界面ダイポール層強度の温度依存性と各酸化物の密度の相関2020

    • Author(s)
      濱口 高志,喜多浩之
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO2窒化界面構造の安定性の比較2020

    • Author(s)
      佐俣 勇祐,喜多浩之
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Mechanical-stress-induced anomalous change of electrical characteristics of 4H-SiC (0001) NMOSFET fabricated on Al-implanted p-type well2020

    • Author(s)
      Qiao Chu, Adhi Dwi Hatmanto, Masahiro Masunaga, Akio Shima and Koji Kita
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察2020

    • Author(s)
      小柳 潤,喜多浩之
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出されるNO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い2020

    • Author(s)
      長谷川 凛平,喜多浩之
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 少量のCO共存下で進行するO2及びH2Oによる熱酸化に伴う酸化膜中欠陥形成機構の考察2020

    • Author(s)
      劉 洪波,喜多浩之
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] NO-POAによるSiO2/4H-SiC MOSキャパシタの異常なバンドアライメント変化とその起源2019

    • Author(s)
      Tae-Hyeon Kil,喜多浩之
    • Organizer
      応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会
  • [Presentation] 異なる結晶面上の4H-SiC/SiO2窒化界面からのArアニールによるN原子脱離過程2019

    • Author(s)
      佐俣勇祐,喜多浩之
    • Organizer
      応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会
  • [Presentation] 4H-SiCの水蒸気酸化反応の特徴とそのMOS界面特性に与える効果の理解2019

    • Author(s)
      喜多浩之
    • Organizer
      応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • Invited
  • [Presentation] 水蒸気アニールがp型SiC MOSキャパシタのDitとVFB安定性に与える効果の雰囲気中の酸素分圧による違い2019

    • Author(s)
      小柳潤,喜多浩之
    • Organizer
      応用物理学会先進パワー半導体分科会 第6回講演会
  • [Presentation] Difference of Temperature Effects on Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer Strength by SiO2 Growth Methods2019

    • Author(s)
      Takashi Hamaguchi and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Suppression of VFB Instability of p-type 4H-SiC (0001) MOS capacitor by H2O-POA without O2 Introduction2019

    • Author(s)
      Jun Koyanagi and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Investigation of Thermal Oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC and Its Origins2019

    • Author(s)
      Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Improvement of Channel Characteristics of 4H-SiC PMOSFET by Low Temperature Wet-POA with H2-annealing2019

    • Author(s)
      Jun Koyanagi and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin2019

    • Author(s)
      Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Physical Analysis of Remained Oxidation Byproducts as the Origins of Lattice Distortion at 4H-SiC Surface2019

    • Author(s)
      Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からのArアニールによるN原子脱離過程2019

    • Author(s)
      佐俣勇祐,喜多浩之
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Significant effects on SiO2/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes2019

    • Author(s)
      Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Investigation on the Factors to Determine the Efficiency of Energy Harvesting Method with Multilayered Dielectric Capacitors in Temperature Fluctuating Environment2019

    • Author(s)
      Takashi Hamaguchi and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Investigation of the Possible Origins of Lattice Distortion at the Surface of Thermally Oxidized 4H-SiC (0001) based on the Physical Analysis of Remained Byproducts2019

    • Author(s)
      Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Experimentally Observed Temperature Induced Changes in Interface Dipole Layer Strengths in high‐k/SiO2 and high‐k/high‐k Systems2019

    • Author(s)
      Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Anomalous Change of Band Alignment of SiO2/4H‐SiC (0001) Stacks Induced by the Nitrogen Introduction to the Interface2019

    • Author(s)
      Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura and Koji Kita
    • Organizer
      2019 International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2019)
    • Int'l Joint Research
  • [Remarks] 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 喜多研究室

    • URL

      http://www.scio.t.u-tokyo.ac.jp/index.html

URL: 

Published: 2021-12-27  

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