2018 Fiscal Year Research-status Report
High-power-density integrated switched-capacitor DC/DC converter
Project/Area Number |
18K04079
|
Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
崔 通 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (70633337)
|
Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2021-03-31
|
Keywords | スイッチトキャパシタDC/DCコンバータ / 集積回路 / 高電力密度化 / スパイクノイズ / アクティブゲートドライバ |
Outline of Annual Research Achievements |
電力密度の最適化設計を行った。電力密度が最大になるように、MLCC(Multi-Layer Ceramic Capacitor)のサイズ、CMOS プロセスの選定、スイッチサイズの最適化を行い、回路設計、シミュレーションを行った。 MLCC のサイズは、0402(0.4mm×0.2mm×0.2mm)とし、容量は470nF を選定した。CMOSプロセスは65nmCMOSを使用する。チップサイズを2.0mm×1.0mm 以下に収めるようにレイアウト設計中である。
|
Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
レイアウト設計がやや遅れている。
|
Strategy for Future Research Activity |
スパイクノイズを低減する手法、及びソフトチャージ法の確立を行う。ゲートドライバの波形の最適制御を確立する。まず、アクティブゲートドライバとして、数種の構成を比較する。一つ目は、電流DACで構成する手法、二つ目は、ドライバを並列接続する手法で試みる。それぞれの長所と短所を洗い出し、アクティブゲートドライバの基本構成を決める。次に、DACのビット数、タイムレートなどを決め最適化を行う。また、出力電圧の連続スケール化を可能にするためにソフト―チャージ法を使用してチャージトランスファの損失を抑え、高効率化を図る。検討結果をICにインプリメントして、半導体製造業者にテープアウトする。
|
Causes of Carryover |
(理由)旅費が減ったため。 (計画)次年度の旅費として支出する。
|