2019 Fiscal Year Research-status Report
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18K04253
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
阿澄 玲子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 副研究部門長 (40356366)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
橘 浩昭 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10357428)
溝黒 登志子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90358101)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| Keywords | 層状化合物 / ゲルマニウム / 発光素子 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本課題は、化学的な手法を用いてゲルマニウム層の間に「絶縁層」となる物質を導入することにより、高品質なゲルマニウム単原子層膜の積層膜を基板上に作製し、ゲルマニウム層を究極的に薄くすることに由来する物性を活かした電子デバイスの部材とすることを目標とするものである。R1年度は昨年度に引き続き電解効果トランジスタの作製を試みた。また、走査電子顕微鏡を用いて、分散の処理条件と膜質（膜厚や均一性）の関係を検討した。さらに、キャストした薄膜の蛍光特性の時間変化などに関して基礎的な測定を実施した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
均一な薄膜の作製が予想より難しく、デバイスとしての評価が困難であった。一方でR1年度は複数の外部発表を行い、成果の公開をすることができた。
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| Strategy for Future Research Activity |
引き続き、良質な薄膜を作製するための条件探索を行い、電界効果トランジスタおよび電界発光素子としての歩留まり向上を目指す。また、薄膜の構造評価をより詳細に実施する。
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| Causes of Carryover |
R１年度に予定していた海外出張（学会参加）を取りやめたため。一方で装置修理が必要になったため、繰り越し金額はこれに充てる予定である。
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