2018 Fiscal Year Research-status Report
A study of ultra-low power devices with learning function using reduced graphene oxide
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18K04275
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| Research Institution | Japan Aerospace EXploration Agency |
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Principal Investigator |
大畠 昭子 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 特任准教授 (00301747)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| Keywords | 酸化グラフェン / アナログメモリ / 人工知能用デバイス / RRAM |
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| Outline of Annual Research Achievements |
IoT、人工知能と言った新技術が既存の集積回路を利用して実現されつつあるが、このような用途には低消費電力でかつ学習機能を備えた新たなデバイスの検討が重要である。特に人工知能用デバイスには学習機能を持つメモリが有効であり、単純な構造を持つResistive Random Access Memoryを用いて、シナプスのように学習機能を持たせる回路の研究に注目が集まっている。しかし、電圧レベルが数Vで、消費電力と言う観点からは脳と比べてはるかに及ばない。
本研究では、申請者らが見出した、酸化グラフェンをレーザー照射で還元する簡易な方法で作製可能な、微小電圧で機能しかつ履歴保存が可能となる現象を利用し学習機能を有するメモリの実現に向け機能の最適化を行う。H30年度は、提案した方法によるデバイス作製で、基本的な特性が評価できるようプロセスを確立した。これまで行ってきた実験と、理論的解析については、論文発表を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
提案したプロセスで基本的な特性を出せるようになっており、今後の研究への基礎は確立した。
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| Strategy for Future Research Activity |
H31年度新たに測定装置を購入し、確立したプロセスで作製したデバイスを効率よく評価できる予定である。得られた特性により、さらにプロセス条件、デバイス構造の最適化、目的となる特性が得られるよう実験と解析を進める。
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| Causes of Carryover |
H30年度旅費の使用などで端数が生じたが、H31年度必要な装置購入および学会参加に有効に使用する予定である。
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