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2018 Fiscal Year Research-status Report

一価銅錯体と銅穴埋めっき

Research Project

Project/Area Number 18K04731
Research InstitutionOsaka Prefecture University

Principal Investigator

近藤 和夫  大阪府立大学, 研究推進機構, 客員研究員 (50250478)

Project Period (FY) 2018-04-01 – 2021-03-31
Keywords銅めっき / 回転リング-ディスク電極 / SPS / 一価銅
Outline of Annual Research Achievements

めっき液の維持管理として回転リング-デイスク電極を使用した。回転リング-デイスク電極は中心部にデイスク電極を有する。その円周にはリング電極がある。このデイスク電極に銅めっきすると一価銅を中間体として発生する。回転リング-デイスク電極を回転するとこの一価銅が遠心力で飛び出し必ず円周のリング電極上を通過する。ここでリングの電位を正にしておくと次の一価銅の酸化反応を起こす。
Cu+ → Cu+++e-
この式で、一価銅とエレクトロンとは1:1である。エレクトロン即ち、リング電流を測ると発生一価銅量が明らかとなる。Cyclic Voltammetric Strippingでは、白金電極をまずカソードにして銅めっきをつけてそのあと反転して電位のゼロ点を通りアノードにして銅めっきを溶解する。溶解クーロン量は白金電極に析出した銅めっき量である。この銅めっき量はSPS濃度に比例して0,1.3,2.5と増大する。
長時間電解した使用済の液のCVSの銅めっき量では、0-12時間電解した液を比較した。銅めっき量は0,2,4,6,8,10,12と電解時間に比例して単調に減少する。SPS濃度とリング電流とは直線関係にある。
長時間電解した使用済の液のSPS添加量を決定する方法では、まず酸化滴定によって塩素イオンを測定する。次にPEG濃度を決定して塩素とPEGとの必要量を滴下する。次にSPS濃度とリング電流の関係よりSPS濃度を決定して必要SPS濃度を滴下する。
長時間電解した使用済の液でTSVを埋めた場合の断面写真では、中央部にボイドを発生し埋め込み不良である。長時間電解した使用済の液に必要塩素、PEG、SPS量を滴下しためっき液のTSV埋め込み断面写真では、ボイドを発生せず、完全な良好埋め込みをしめした。以上の結果はSPS,塩素、PEGの三添加剤の場合である。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

回転リング-ディスク電極での3添加剤のモニター方法を確立した。
米国ECI社のCVSでも3添加剤はモニターできている。
ECI社ができない4添加剤のモニターを目指す。

Strategy for Future Research Activity

レベラーを含んだ4添加剤のモニター方法を確立する。
ECI社ができない4添加剤のモニターを目指す。

Causes of Carryover

本研究課題の現時点での進行状況は、おおむね順調であり、次年度への研究課題推進の為

  • Research Products

    (14 results)

All 2018

All Journal Article (2 results) Presentation (12 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results)

  • [Journal Article] A rotating ring disk study of accelerators with Cl and Br for copper damascene electrodeposition2018

    • Author(s)
      Anh Van Nhat Tran, Ha Van Hoang,Tetsuji Hirato and Kazuo Kondo
    • Journal Title

      表研技術

      Volume: 第69巻 Pages: 352-355

    • DOI

      doi.org/10.4139/sfj.69.352

  • [Journal Article] Thermal Stress of Through Silicon Via with Annealing2018

    • Author(s)
      Dinh Van Quy, K.Kondo, Ha Van Hoang, T.Hirato
    • Journal Title

      ECS J. Solid State Sci. Technol.

      Volume: 7(11) Pages: 689-692

    • DOI

      10.1149/2.0301811jss

  • [Presentation] Monitoring of SPS concentration in copper electroplating bath by cyclic voltammetry stripping using a rotating ring-disk electrode2018

    • Author(s)
      Anh Van Nhat Tran, 近藤和夫、平藤哲司
    • Organizer
      表面技術協会
  • [Presentation] Reduction of stress due to annealing of TSV Copper by the low TCE Copper2018

    • Author(s)
      Dinh Van Quy,近藤和夫、平藤哲司
    • Organizer
      表面技術協会
  • [Presentation] 低線膨張銅めっき2018

    • Author(s)
      近藤和夫
    • Organizer
      化学工学会エレクトロニクス部会シンポ
  • [Presentation] What’s happen to low TCE Copper when annealing2018

    • Author(s)
      Kazuo Kondo
    • Organizer
      ECS Meeting in Cancun
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Reduction of Stress in Copper TSV Due to Annealing By the Low TEC Copper,2018

    • Author(s)
      Q. Dinh, K. Kondo, and T.Hirato
    • Organizer
      ECS Meeting in Cancun
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ‘What’s happen to low TCE Copper when annealing’2018

    • Author(s)
      Kazuo Kondo
    • Organizer
      IMPACT Taipei
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 低線膨張銅めっき2018

    • Author(s)
      近藤和夫
    • Organizer
      サポインEXPO
  • [Presentation] 低線膨張銅めっきが解消する熱応力2018

    • Author(s)
      近藤和夫
    • Organizer
      日本溶接学会はんだシンポ
  • [Presentation] 低線膨張銅めっきが解消する熱応力2018

    • Author(s)
      .近藤和夫
    • Organizer
      日本溶接学会電子デバイス実装研究会
  • [Presentation] 低線膨張銅めっき2018

    • Author(s)
      近藤和夫
    • Organizer
      セミコンジャパン
  • [Presentation] Reduction of TSV thermal stress by low TCE electrolyte2018

    • Author(s)
      Dinh Van Quy、近藤和夫、平藤哲司
    • Organizer
      関西表面技術フォーラム
  • [Presentation] Monitoring of SPS concentration during electrodeposition process by rotating ring-disk electrode-22018

    • Author(s)
      Tran Van Nhat Anh, 近藤和夫、平藤哲司
    • Organizer
      関西表面技術フォーラム

URL: 

Published: 2019-12-27  

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