2021 Fiscal Year Annual Research Report
The doping of intentional impurities into InN ultrathin films
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18K04955
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授 (20470114)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| Keywords | 窒化物半導体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
InNは優れた電気特性から、テラヘルツ領域で動作する高速電子素子や超高効率太陽電池を構成する有望な材料候補と期待されているが、厚膜InNへの不純物ドーピングという従来法ではp型/n型の制御が難しいため、新しい伝導性制御技術の開発が求められている。研究代表者らはこれまでに格子整合基板を用いることで、10nm以下の極薄膜InNの高品質化に成功しており、厚膜InNでは実現できなかった電界効果トランジスタの作製にも成功している。本研究では、研究代表者が作製するデバイスクオリティの極薄膜をプラットフォームとして、InNの伝導性制御技術の確立を目指す。
2021年度は極薄膜InNチャネルトランジスタの特性を向上させるために、基板として使用しているAlN表面の平坦化をおこなった。スパッタリング法で、AlN/サファイアテンプレート基板にAlNをホモエピタキシャル成長させた後に、窒素雰囲気下で1500℃以上の高温アニール処理を施すことで、原子レベルで平坦な表面を露出させることに成功した。
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