Fabrication of hetero-junction with continuous interface for improvement of Si solar cell characteristics

2019 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 18K13790
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: Imamura Kentaro 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (60591302)
• Project Period (FY): 2018-04-01 – 2020-03-31
• Keywords: シリコン太陽電池 / ナノシリコン / ヘテロ接合

Outline of Final Research Achievements

A nanocrystalline silicon layer/crystalline silicon structure was formed by use of the surface structure chemical transfer method. The reaction condition to form a uniform nanocrystalline silicon layer was optimized by investigation of the structure using transmission electron microscope. The porosity profile of the nanocrystalline silicon layer was estimated by ellipsometrical analysis. The energy band structure was estimated by X-ray photoelectron spectroscopy, photoluminescence, and Kelvin probe force microscope measurements. This study made it possible to form a nanocrystalline silicon layer/crystalline silicon　structure with a steep band structure. Further development of boron diffusion process will lead to improvement of the conversion efficiency of the nanocrystalline silicon layer/silicon solar cells.

Free Research Field

半導体デバイス

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

結晶シリコン太陽電池は、市販される太陽電池の9割以上を占めており、エネルギー問題を解決するための重要なエネルギー変換デバイスである。結晶シリコン太陽電池開発には、高効率化と低コスト化によって発電コストを低減させることが求められている。本研究によって、形成したナノ結晶シリコン層/結晶シリコン構造は急峻なバンド構造を有しており、太陽電池の再結合電流の低減による開放電圧の向上に有望な構造である。また、本研究で用いた方法は、低コストな非真空プロセスであり、発電コストの低減につながる。