2019 Fiscal Year Research-status Report
原子層物質を用いた高スピン偏極面直電流磁気抵抗素子の研究
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18K13985
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| Research Institution | National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology |
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Principal Investigator |
李 松田 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主任研究員(任常) (90805649)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| Keywords | ホイスラー合金 / 高スピン偏極率材料 / 磁気抵抗素子 / グラフェン / 層状物質 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
今年度得られた研究成果は以下の通りです。
１．グラフェンとホイスラー合金の積層化に関する研究成果を取り纏めて、材料科学分野のトップ誌（Advanced Materials）で論文発表を行いました。また、今回の研究成果研に関するプレスリリースを行いました。
２．ホイスラー合金/グラフェン/ホイスラー合金の面直電流磁気抵抗素子の試作を行いました。ホイスラー合金/グラフェン/ホイスラー合金磁気抵抗素子は磁気再生ヘッドの応用に、最適な素子電気抵抗であることを確認しました。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
ホイスラー合金/グラフェン/ホイスラー合金の面直電流磁気抵抗素子を試作した結果、素子が磁気再生ヘッドの応用に最適な素子抵抗を持つことを確認できたため。
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| Strategy for Future Research Activity |
次年度はホイスラー合金トップ電極のスピン偏極率の増大に工夫することによって、低い素子電気抵抗と高い磁気抵抗比の高性能の磁気抵抗素子の実現を目指します。
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| Causes of Carryover |
数千円の物品費精算の残額は次年度の物品費として使用します。
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[Journal Article] Graphene/Half‐Metallic Heusler Alloy: A Novel Heterostructure toward High‐Performance Graphene Spintronic Devices2020
Author(s)
S. Li, K. V. Larionov, Z. I. Popov, T. Watanabe, K. Amemiya, S. Entani, P. V. Avramov, Y. Sakuraba, H. Naramoto, P. B. Sorokin, and S. Sakai
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Journal Title
Advanced Materials
Volume: 32
Pages: 1905734
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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