2020 Fiscal Year Annual Research Report
High spin polarization current-perpendicular-to-plane magnetoresistive device using atomic-layer materials
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18K13985
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| Research Institution | National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology |
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Principal Investigator |
李 松田 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主任研究員(定常) (90805649)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| Keywords | ホイスラー合金 / 二次元物質 / 磁気抵抗素子 / 高スピン偏極率 / グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は下記の研究成果を得られた：
1. 全反射高速陽電子回折法（TRHEPD）放射光分光技術を用いて、グラフェン/ホイスラー合金ヘテロ構造の界面の層間距離を測った。その結果、グラフェン/ホイスラー合金ヘテロ構造の界面の層間距離はグラフェンと他の強磁性金属(コバルトやニッケル)からなる積層材料の場合(約0.20nm)と比較して著しく大きく約0.33nmであった。グラフェン/ホイスラー合金ヘテロ構造は弱いファンデルワールス力により結合することが示唆された。第一原理計算の結果と一致する。
2.スピン偏極陽電子消滅法を用いて、グラフェン/ホイスラー合金積層材料表面のスピン偏極状態を調べた。その結果、グラフェン/ホイスラー合金積層材料で僅かなスピン非対称率しか観測されなかった。グラフェンの電子状態に対するホイスラー合金の影響が少なく、グラフェンの本来の電子状態が保たれているためと考えられる。
3.ホイスラー合金薄膜の表面に単層二次元物質六方晶窒化ホウ素(h-BN)を100%の被覆率で成長する技術を確立した。
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[Presentation] Spectroscopic studies of graphene/Heusler alloy heterostructure by using XMCD and TRHEPD2021
Author(s)
Li Songtian, songtian li, K.V. Larionov , P. B. Sorokin, K. Amemiya, Entani Shiro, Y. Sakuraba, I. Mochizuki, K. Wada, Kawasuso Atsuo, Sakai Seiji
Organizer
低速陽電子実験施設研究会
