2019 Fiscal Year Annual Research Report
High-frequency and low power-consumption GaN monolithic complementary power integrated circuits
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18K14141
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
SANG Liwen 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (90598038)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2020-03-31
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| Keywords | 窒化物 / MOSFET / 集積回路 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
GaN（窒化ガリウム）のトランジスタや集積回路は、シリコンMOSFETよりも大幅に高速化し、より小型になっている。これまではNチャンネル型AlGaN/GaN FETの開発が主に行われており、pチャンネル型素子が実現できれば、相補型MOS集積回路システム全体の大幅な低コスト・小型化が可能になる。本研究は、NチャネルAlGaN/GaNヘテロ構造上に、分極接合技術を利用した低抵抗InGaN/GaN ヘテロ構造Pチャネル型トランジスタと組み合わせて大きな駆動力を持ったワンチップ集積化を目指した。令和元年度は、InGaN/GaN pチャネルMOSFETsの開発が成功した。p型GaN MOS界面の欠陥を低減するため、無酸素ゲート絶縁膜の成膜条件をさらに最適はすることにより、界面の欠陥は約１桁を低減された。また、MOCVDより、InGaN/GaNヘテロ構造の応力制御、格子緩和度および不純物混入に与える影響を調べした。さらに、InGaN系とAlGaN系のCMOS集積回路の設計と性能測定した。
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Research Products
(10 results)
