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2019 Fiscal Year Annual Research Report

Detection of structural fluctuation in ultra-thin organic ferroelectric film

Research Project

Project/Area Number 18K18868
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

塚越 一仁  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA主任研究者 (50322665)

Project Period (FY) 2018-06-29 – 2020-03-31
Keywords分子ナノ薄膜 / 誘電特性 / 分子挙動 / 分子厚結晶
Outline of Annual Research Achievements

有機薄膜強誘電P(VDF-TrFE)をナノスケール厚にすることで、一般的に現れるβ相ではなく、本来構造不安定なα相が安定化する。α相膜は、従来の限界を超える大きな誘電性と高速外部応答が期待できる。強誘電膜での双極子はグレイン内で相互作用して、全体としての電気特性を生じさせるので、単一グレイン化が理想的な効率的強誘電膜となるはずだが、従来は膜の不均一性で単一グレインを造れない。そこで、原子スケールで平坦な表面を作り出し、これに有機分子膜を形成することで、結晶粒界に分断されにくいサイズの大きい連続分子膜を作れるようになるはずである。大きな連続分子膜が自在に作れるようになれば、現在の微細加工技術を使うことでパターン形成が可能となり、応用展開への研究も加速することができるようになる。この目的のために原子スケール平坦な表面を有する基板を作り、そのうえで有機膜を形成して、機能化検証を試みた。
本研究では、通常のSiO2基板を用いて、一般の研究では十分に平坦な表面であるにもかかわらず、分子結晶に対しては平坦性が十分でなく、分子結晶がグレイン化してしまうことが生じていた。このため、単グレインの評価には、原子間力顕微鏡のプローブを使わなければ評価ができなかった。この問題の解決のために、原子膜体積法や平坦金属薄膜形成を工夫し、原子スケールで平坦な表面を有する基板を作り、本有機膜の特性抽出をおこなった。有機薄膜の特性を変調することを目的として、絶縁膜/金属平坦膜/有機強誘電膜/電極膜のヘテロ構造をそれぞれの形成において相互ダメージを最小化できるような工程で作り、電気特性の計測を行った。積層膜を造る際の相互ダメージ最小化が極めて難しく、複数の膜をダメージ無く積み上げるのに、新たな技術開発を要した。試作した積層構造によて、偏極特性の観測に成功し、分子極性が外部電圧入力で制御実証に進展することが出来た。

  • Research Products

    (10 results)

All 2020 2019 Other

All Int'l Joint Research (1 results) Journal Article (3 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results,  Peer Reviewed: 3 results) Presentation (4 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Invited: 2 results) Remarks (1 results) Funded Workshop (1 results)

  • [Int'l Joint Research] 南京大学(中国)

    • Country Name
      CHINA
    • Counterpart Institution
      南京大学
  • [Journal Article] Solution-processed organic single-crystalline semiconductors with a fence-like shape via ultrasound concussion2020

    • Author(s)
      Zhang Bowen、Wang Qijing、Guo Jianhang、Pei Mengjiao、Wang Hengyuan、Jiang Sai、Shin Eul-Yong、Noh Yong-Young、Tsukagoshi Kazuhito、Shi Yi、Li Yun
    • Journal Title

      Journal of Materials Chemistry C

      Volume: 8 Pages: 2589~2593

    • DOI

      10.1039/C9TC06635G

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Solution processed In-Si-O thin film transistors on hydrophilic and hydrophobic substrates2020

    • Author(s)
      Hoang Ha、Ueta Yuki、Tsukagoshi Kazuhito、Nabatame Toshihide、Trinh Bui Nguyen Quoc、Fujiwara Akihiko
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 698 Pages: 137860~137860

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2020.137860

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O32019

    • Author(s)
      Kobayashi Riku、Nabatame Toshihide、Kurishima Kazunori、Onaya Takashi、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Nagata Takahiro、Tsukagoshi Kazuhito、Ogura Atsushi
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 92 Pages: 3~13

    • DOI

      10.1149/09203.0003ecst

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ultrathin Organic Functional Layer Based Ferroelectric Tunnel Junction2020

    • Author(s)
      Zimu Li, Kazuhito Tsukagoshi, Yun Li,
    • Organizer
      MANA International Symposium 2020
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Solution-processed organometallic quasi-2D nanosheet as hole buffer layer for organic light-emitting devices with extend lifetime2019

    • Author(s)
      S.Liu, Y.-C.Wang, T.Yasuda, K.Nakazato, H.Maeda, N.Fukui, P.Long, H.Nishihara, K.Tsukagoshi,
    • Organizer
      A3 joint forum (日中韓フォーサイト事業)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Solution-processed quasi-2D organometallic nanosheet as hole buffer layer for organic light-emitting device2019

    • Author(s)
      Kazuhito Tsukagoshi, Shihao Liu, Ying-Chiao Wang, Hiroshi Nishihara,
    • Organizer
      JSPS-EPSRC Core-to Core International Workshop On Two-Dimensional Coordination Nanosheets
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Characteristics of oxide TFT using carbon-doped In2O3 thin film fabricated by low-temperature ALD using InEtCp and H2O/O32019

    • Author(s)
      R. Kobayashi,, T. Nabatame, K. Kurishima, T. Onaya, A. Ohi, N. Ikeda, T. Nagata, K. Tsukagoshi, A. Ogura,
    • Organizer
      236th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Remarks] http://www.nims.go.jp/pi-ele_g/

  • [Funded Workshop] Seminar in School of Electronic Science and Engineering Nanjing University2019

URL: 

Published: 2021-01-27  

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