2019 Fiscal Year Research-status Report
Development of diamond power electronics
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18KK0383
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
徳田 規夫 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 教授 (80462860)
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| Project Period (FY) |
2019 – 2021
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| Keywords | 表面・界面物性 / ダイヤモンド |
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| Outline of Annual Research Achievements |
基課題研究の目的は、省エネ・低炭素社会の実現に期待されている次世代パワーデバイスに関して、大電力制御が可能であり、かつ最も高い省エネ効果が期待されているダイヤモンド半導体を用いた超低損失の縦型トレンチゲート構造MOSFET創製のための基盤要素技術を開発し、ダイヤモンドパワーエレクトロニクスの創成に資することである。本国際共同研究では、基課題研究により得られた成果である超低損失ダイヤモンドMOSFETの早期社会実装の加速を目的とする。具体的には、アリゾナ州立大学が有するデバイス開発装置群を用いて、材料基盤研究からデバイス応用研究へ発展させ、ダイヤモンドエレクトロニクスの創成を目指す。
今年度は、渡航先であるアリゾナ州立大学に10月に約1週間滞在し、具体的な研究計画をRegent’s Prof. Nemanichと議論した。また、Prof. Nemanichが有する半導体デバイス開発・評価装置群の見学及びグループミーティングに参加し、ダイヤモンド半導体デバイスに関する議論を行った。当初の計画では2020年3月の約1か月間、アリゾナ州立大学で研究を行う予定であったが、新型コロナウィルスの影響で渡航できなかった。その代わり、本学でダイヤモンド半導体試料の作製、具体的には、本学独自のマイクロ波プラズマCVD法によるホモエピタキシャルラテラル成長を用いたp型ダイヤモンド膜の成長やオーミック接触形成のための高濃度ホウ素ドープダイヤモンドp+層の成長、そしてダイヤモンド表面・界面構造制御を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
研究実績の概要に示した通り3月の渡航がキャンセルとなったものの、次回渡航時に効率的な研究の遂行を可能にすることを目的に本学にて試料作製を行ったことで、今年度は概ね順調に進展した。
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| Strategy for Future Research Activity |
2020年5月の時点で新型コロナウイルスの影響でビザ申請ができない状況であり、来年度も、渡航できない可能性がある。そのため、渡航先とのオンラインでの議論や本学で試料作製等の準備を行う。また、ビザ申請が再開すれば渡航準備を行い、研究実施計画の遂行を目指す。
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