Si系LSI内広帯域配線層の為のInP系メンブレン光・電子デバイス

2017 Fiscal Year Abstract(Follow-up Assessment)

• Project/Area Number: 19002009
• Research Category: Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Science and Engineering; Engineering
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: ARAI Shigehisa 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (30151137)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): MARUYAMA Takeo 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (60345379) ; 浅田 雅洋 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (30167887) ; 宮本 恭幸 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40209953) ; 西山 伸彦 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (80447531)
• Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha): ASADA Masahiro 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (30167887) ; MIYAMOTO Yasuyuki 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40209953) ; NISHIYAMA Nobuhiko 東京工業大学, 大学院・理工学研究科 (80447531)
• Project Period (FY): 2007 – 2011