2017 Fiscal Year Abstract(Follow-up Assessment)
Si系LSI内広帯域配線層の為のInP系メンブレン光・電子デバイス
Project/Area Number |
19002009
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Research Category |
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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Allocation Type | Single-year Grants |
Review Section |
Science and Engineering
Engineering
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
ARAI Shigehisa 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (30151137)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MARUYAMA Takeo 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (60345379)
浅田 雅洋 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (30167887)
宮本 恭幸 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40209953)
西山 伸彦 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (80447531)
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Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
ASADA Masahiro 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (30167887)
MIYAMOTO Yasuyuki 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40209953)
NISHIYAMA Nobuhiko 東京工業大学, 大学院・理工学研究科 (80447531)
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Project Period (FY) |
2007 – 2011
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