2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Development of High Power and Millimeter-long Wave Diamond Transistors Using Two Dimensional Hole Gas
| Project/Area Number |
19106006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
KAWARADA Hiroshi Waseda University, 理工学術院, 教授 (90161380)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2010
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| Keywords | 電子デバイス |
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| Research Abstract |
代表者が先駆的に開発した2次元正孔ガスによる表面p型蓄積層を利用したダイヤモンドpチャネルFETを基礎に、以下の目的で研究を実施する。
(1)新たなヘテロ界面創出による2次元正孔ガスのキャリア密度と移動度を向上させる。
(2)FET構造最適化により高電圧、高周波、耐環境での性能向上を行い、実用に耐えうる高出力・高周波動作を検討する。
(3)高濃度ボロンドープp型層での超伝導を利用したゼロ抵抗ソース・ドレインのFETやチャネルの開閉に超伝導-常伝導を利用する超伝導FET等の斬新なデバイス開発を行う。
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