2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Nearly Localized f Electron and Quantum Phenomena
| Project/Area Number |
19204034
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Condensed matter physics II
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
AOKI Haruyoshi Tohoku University, 大学院・理学研究科, 教授 (60302246)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2010
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| Keywords | 強相関係 / 低温物性 / dHvA効果 / f電子化合物 |
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| Research Abstract |
結晶格子中のf電子の物理の面白さはその"ほとんど局在した状態"に起因する。"ほとんど局在したf電子"の変貌は強相関f電子系の研究の根幹を成す古くからの基本問題であり、最近の量子相転移の研究の発展とともに改めて深い理解を必要とする課題として浮かび上がってきた。これらのf電子の変貌は圧力、磁場などの外場、および化学的な圧力や混晶化によって制御することができる。本研究ではこれまでの我々の研究成果を発展させ、圧力と混晶化を併用して、単独の物質系で不純物状態から格子系、および局在-遍歴-価数揺動の広い範囲でf電子を変貌させ、それによって起こる電子状態、物性の変化、相転移をドハース・ファンアルフェン(dHvA)効果を中心とする測定で明らかにすることを目的とする。
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[Journal Article] 4f-Derived Fermi Surfaces of CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2 near the Quantum Critical Point : Resonant Soft-X-ray ARPES Study2009
Author(s)
T. Okane, T. Ohkochi, Y. Takeda, S.-i. Fujimori, A. Yasui, Y. Saitoh, H. Yamagami, A. Fujimori, Y. Matsumoto, M. Sugi, N. Kimura, T. Komatsubara, H. Aoki
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Journal Title
Phys.Rev.Lett. 102
Pages: 216401
Peer Reviewed
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