• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2007 Fiscal Year Annual Research Report

大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用

Research Project

Project/Area Number 19206018
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

安武 潔  Osaka University, 大学院・工学研究科, 教授 (80166503)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 垣内 弘章  大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10233660)
大参 宏昌  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00335382)
Keywordsシリコン / 大気圧プラズマCVD / 大気圧プラズマ酸化 / 大気圧プラズマ窒化 / 半導体プロセス / 全低温プロセス / エピタキシャル成長 / ドーピング・エピ技術
Research Abstract

大気圧プラズマを用いた低温・高濃度ドーピングSiエピ技術、および酸化・窒化技術を開発することにより、500〜600℃以下の全低温半導体デバイスプロセスを確立することを目的とする。
大気圧プラズマCVDによるSiウェーハ上でのSi成長特性を調べた結果、成長温度Ts=470〜570℃で無欠陥のSiエピ成長に成功した。成長速度は、従来900℃以上の熱CVD法で得られていた値と同等であること、エピ層の少数キャリア発生寿命は、単結晶Siウェーハよりも優れており、高性能半導体デバイス作製に適用できることが明らかになった。B_2H_6をp型ドーピングガスとして、エピ成長実験を行った結果、570℃において約10^<20>cm^<-3>の高濃度Bドーピングエピ成長に成功した。成長したエピ膜は、断面透過電子顕微鏡観察から無欠陥であること、ホール移動度のキャリア濃度依存性がバルクSi単結晶と同じであり、高品質であることを確認した。
n^+およびp^+層の作製が可能な独立した2チャンバー大気圧プラズマプロセス装置を設計製作した。直径6インチの基板サイズに対応し、2チャンバー間の基板搬送によって連続プロセスが可能な装置とした。
単結晶Siウェーハの大気圧プラズマ酸化実験を行った結果、150〜400℃で6〜14nm/minの高速酸化が実現された。また、界面準位密度は6×10^<10>eV^<-1>cm^<-2>程度であり、デバイス応用可能であることが分かった。
精密分光計測により、Si成膜中の大気圧プラズマのガス温度を測定した。その結果、基板表面温度とガス温度の差は高々数10℃であり、高温ほど差が小さいことが分かった。第一原理分子動力学計算結果から、高品質Siエピ成長機構において、プラズマガス温度による加熱効果は小さいのに対し、化学反応熱が表面第2層までに局在することが表面原子のマイグレーション促進に寄与している可能性が示唆された。

  • Research Products

    (14 results)

All 2008 2007 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (9 results) Book (1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature -2008

    • Author(s)
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Journal Title

      応用物理 75

      Pages: 1031-1036

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Organizer
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • Place of Presentation
      日本大学(駿河台)
    • Year and Date
      2007-12-08
  • [Presentation] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature-2007

    • Author(s)
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • Organizer
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • Place of Presentation
      大阪大学(吹田)
    • Year and Date
      2007-10-17
  • [Presentation] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Organizer
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • Place of Presentation
      大阪大学(吹田)
    • Year and Date
      2007-10-15
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      旭川市ときわ市民ホール
    • Year and Date
      2007-09-14
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪産業大学(大東市)
    • Year and Date
      2007-08-09
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタクシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明-表面へのガス原子の作用-2007

    • Author(s)
      稲垣耕司, 掛谷悟史, 広瀬喜久治, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪産業大学(大東市)
    • Year and Date
      2007-08-09
  • [Presentation] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • Place of Presentation
      マルセイユ
    • Year and Date
      2007-05-21
  • [Presentation] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • Place of Presentation
      マルセイユ
    • Year and Date
      2007-05-21
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 田原直剛, 大参宏昌, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔
    • Organizer
      2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学(相模原)
    • Year and Date
      2007-03-29
  • [Book] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research(ed. A. R. Jost)2007

    • Author(s)
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • Total Pages
      50
    • Publisher
      Nova Science, New York
  • [Remarks]

    • URL

      http://www-ms.prec.eng.osaka-u.ac.jp/toptop.html

URL: 

Published: 2010-02-04   Modified: 2016-04-21  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi