2009 Fiscal Year Annual Research Report
単層カーボンナノチューブ垂直配向膜の制御CVD合成と熱・光デバイスの試作
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19206024
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
丸山 茂夫 The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 教授 (90209700)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
塩見 淳一郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (40451786)
千足 昇平 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (50434022)
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| Keywords | 単層カーボンチューブ / CVD合成 / 垂直配向膜 / 熱・光デバイス / 直径制御 |
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| Research Abstract |
単層カーボンナノチューブのデバイス応用には,その構造制御(直径,長さなど)だけでなく,任意の位置・方向に合成する技術が必要である.自己組織化単分子膜(SAM)を用い,基板表面の濡れ性を制御することで,シリコン基板表面上において単層カーボンナノチューブのパターニング合成に成功している.さらに,位置制御の精度や分解能を高めることができ,今後の応用に向けた重要な結果を得ることができた.
また,垂直配向SWNTの熱伝導率を,ラマン散乱分光法を用いて計測した.垂直配向単層カーボンナノチューブ膜に対してレーザーを照射すると,レーザースポット内の単層カーボンナノチューブが加熱される同時に,その表面からラマン散乱が生じる.そのラマン散乱スペクトルは顕著な温度依存性がある為,この温度依存性から単層カーボンナノチューブの温度を計測することができる.垂直配向膜の厚さや,レーザーパワーなどを変化させることで,レーザースポット内の温度分布を分析し,垂直配向単層カーボンナノチューブ膜の軸方向の熱伝導率を解析した.
さらに,単層カーボンナノチューブの熱伝導デバイス応用に向け,ポリマーを用いて垂直単層カーボンナノチューブ複合材料の作成を試みた.シリコン基板上に合成した垂直配向単層カーボンナノチューブに,加熱し融解させたポリビニルアルコール(PVA)を流し込み,室温にて凝固させた.得られた単層カーボンナノチューブ・PVA複合材料をSEM観察やラマン散乱分光法を用いて分析を行った.
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Research Products
(13 results)
