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2009 Fiscal Year Annual Research Report

半導体ナノワイヤによる量子集積ハードウェアの構築

Research Project

Project/Area Number 19206031
Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

本久 順一  Hokkaido University, 大学院・情報科学研究科, 教授 (60212263)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 橋詰 保  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
池辺 将之  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20374613)
Keywords半導体ナノワイヤ / 量子集積ハードウェア / 電界効果トランジスタ / 有機金属気相成長法 / 選択成長 / 論理回路
Research Abstract

平成21年度は半導体ナノワイヤによる横型/縦型の電界効果トランジスタ(FET)の作製・評価とその性能向上、およびこれらによる集積ハードウェアの構築のため以下の点を中心に研究を行なった。まず、Si基板上に成長した単一のInAsナノワイヤに対して、原子層堆積(ALD)法によりHfAlO絶縁膜を形成した後、ゲート電極堆積、BCB埋め込み平坦化、エッチング、ドレイン電極形成といったプロセスを行うことにより、縦型サラウンディングゲートランジスタの作製に成功した。電気的特性の評価の結果、良好なnチャネルFETとして動作していることが確認された。さらにコアシェル構造ナノワイヤを用いる、もしくはアニールなどのプロセス改善手法を導入することにより、on/off比の改善やサブスレショルドスロープの低減などが示された。一方、横型FETにおいては、プロセスの改善によりon電流が従来のFETより1桁向上することが確認され、またコアシェル構造を利用したチューブ状チャネルのFETを作製した。同時に、ナノワイヤ作製の高スループット化のため、ナノインプリント技術を用い選択成長用マスク基板を作製した。円形の突起を有するモールドを利用し、Si基板上に開口直径200nmのSiO_2パターン得ることに成功し、また選択成長にも成功したが、良好なGaAsナノワイヤを得るためには、開口直径のさらなる微小化などの改善が必要であることがわかった。同時に、pチャネルFET用ナノワイヤの実現を目指し、GaSbの選択成長を行なった。その結果、選択成長に用いたGaAsの基板面方位により選択成長される構造の形状や被覆率が大きく異なることや、ある成長条件の元でのGaAs(111)B基板上においては、GaSbのピラミッド構造が形成されることが示された。一方、InP(111)A面上ではGaSbウィスカがマスク開口部に形成された、これは自己触媒により気相-液相-固相(VLS)成長したものと考えられる。

  • Research Products

    (17 results)

All 2010 2009

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results) Presentation (12 results)

  • [Journal Article] Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs? Nanowires Grown on Si Substrates2010

    • Author(s)
      Tomotaka Tanaka, et al.
    • Journal Title

      Appl.Phys.Express 3

      Pages: 025003

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Exciton coherence in clean single InP/InAsP/InP nanowire quantum dots emitting in infra-red measured by Fourier spectroscopy2009

    • Author(s)
      H.Sasakura, et al.
    • Journal Title

      Journal of Physics : Conference Series 193

      Pages: 012132

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] One- and Two-Dimensional Spectral Diffusions in InP/InAs/InP Core-Multishell Nanowires2009

    • Author(s)
      Ken Goto, et al.
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      Pages: 04C203

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Analysis of Twin Defects in GaAs Nanowires and Tetrahedra and Their Correlation to GaAs(111)B Surface Reconstructions in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2009

    • Author(s)
      Hiroatsu Yoshida
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth 315

      Pages: 52-57

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabry-Perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with InGaAs/GaAs heterostructure2009

    • Author(s)
      Yang, Lin
    • Journal Title

      Optics Express 17

      Pages: 9337-9346

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Lasing in GaAs-based Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE(invi9ted)2010

    • Author(s)
      J.Motohisa, et al.
    • Organizer
      Winter Topicals 2010
    • Place of Presentation
      Majorca, Spain
    • Year and Date
      20100111-20100113
  • [Presentation] InAs系ナノワイヤトランジスタ(招待講演)2010

    • Author(s)
      本久順一
    • Organizer
      電子情報通信学会2010年総合大会
    • Place of Presentation
      仙台市
    • Year and Date
      2010-03-17
  • [Presentation] Growth of nanowires by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and their applications(invited)2009

    • Author(s)
      J.Motohisa, et al.
    • Organizer
      The XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
    • Place of Presentation
      New Delhi, India
    • Year and Date
      20091215-20091219
  • [Presentation] Study on InAs Tubular Channel Nanowire FETs2009

    • Author(s)
      T.Sato, et al.
    • Organizer
      The 3rd International Conference on One-Dimensi onal Nanomaterials(ICON 2009)
    • Place of Presentation
      Atlanta, Georgia, USA
    • Year and Date
      20091207-20091209
  • [Presentation] Vertical Surrounding Gate Field Effect Transistors using InAs Nanowires on Si Substrates2009

    • Author(s)
      T.Tanaka, et al.
    • Organizer
      the 2009 Material Research Society(MRS)Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Boston, Massachusetts, USA
    • Year and Date
      20091130-20091204
  • [Presentation] Fabrication and Electrical Characterization of InAs Tubular Channel Nanowire FETs2009

    • Author(s)
      T.Sato, et al.
    • Organizer
      the 2009 International Symposium on Advanced Nanostructures and Nanodevices(ISANN 2009)
    • Place of Presentation
      Kaanapali, Maui, Hawaii, USA
    • Year and Date
      20091129-20091204
  • [Presentation] Growth of Tubular InAs Nanowires for FET Applications2009

    • Author(s)
      T.Sato, et al.
    • Organizer
      the 4th Nanowire Growth Workshop(NWG 2009)
    • Place of Presentation
      Paris, France
    • Year and Date
      20091026-20091027
  • [Presentation] Fabrication of InAs Nanowire Vertical Surrounding-Gate Field Effect Transistor on Si Substrates2009

    • Author(s)
      T.Tanaka, et al.
    • Organizer
      the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20091006-20091009
  • [Presentation] 半導体ナノワイヤのデバイス応用(招待講演)2009

    • Author(s)
      本久順一
    • Organizer
      第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山
    • Year and Date
      20090908-20090911
  • [Presentation] Growth and Application of Semiconductor Nanowires(invited)2009

    • Author(s)
      J.Motohisa
    • Organizer
      International Conference on Nanoscience and Technology, China 2009(ChinaNANO 2009)
    • Place of Presentation
      Beijing, China
    • Year and Date
      20090901-20090903
  • [Presentation] Growth of III-V nanowires by selective-area MOVPE and their applications(invited)2009

    • Author(s)
      J.Motohisa
    • Organizer
      2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Na nostructures(SemiconNano 2009)
    • Place of Presentation
      Anan, Tokushima, Japan
    • Year and Date
      20090810-20090814
  • [Presentation] Near-infrared Iasing in GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowires(invited)2009

    • Author(s)
      J.Motohisa, et al.
    • Organizer
      International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures(IWPSN)
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20090727-20090728

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Published: 2011-06-16   Modified: 2016-04-21  

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