2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Research on nano-scale semiconductor devices based on the electronic properties of atomic-scale silicon crystals
| Project/Area Number |
19206037
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
ENDOH Tetsuo Tohoku University, 学際科学国際高等研究センター, 教授 (00271990)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2010
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| Keywords | 集積回路 / ナノデバイス / ナノ電子物性科学 |
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| Research Abstract |
本研究は、量子論的な物理を背景とする研究者と材料工学・デバイス工学を学術的背景とする研究者の有機的連携により、理論的手法と実験的実証の両面から、以下に示すことを定量的に提案することを目的としている。
(1)ナノスケールの極微細構造なSi結晶に対するナノ電子物性物理の構築
(2)ナノスケールの極微細構造なSi結晶に対する材料・プロセス技術の構築
(3)前記(1)(2)に基づく真のナノスケールSiデバイス技術の構築
理論計算と実証的実験を相互補完的に推進することで、ナノスケールの極微細構造の半導体中で起こる様々な揺らぎを予測し、その揺らぎを極限まで抑えた界面構造、材料構造を提案する。さらに、Si結晶の酸化現象や不純物拡散現象に伴うSi結晶内に生じる応力・ひずみの制御技術を開発し、極微細構造なSi結晶中の電荷の移動度を向上させ、デバイスの高速動作化を目指す。また、極微細構造なSi結晶中で発生する種々の揺らぎに対して強い新しいデバイス設計技術を開発する。
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