2007 Fiscal Year Annual Research Report
バルブ金属のアノード酸化を基礎とするマイクロ・ナノ構造構築技術のフロンティア
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19206078
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
高橋 英明 Hokkaido University, 大学院・工学研究科, 教授 (70002201)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坂入 正敏 北海道大学, 大学院・工学研究科, 准教援 (50280847)
菊地 竜也 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60374584)
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| Keywords | アノード酸化 / バルブ金属 / 電解コンデンサー / 微細加工 / レーザー / めっき / CVD / 液相析出 |
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| Research Abstract |
1)超高容量アルミニウム電解コンデンサーの開発:MOCVD/アノード酸化プロセスを用いたNb_2O_5/Al_2O_3二層構造固体コンデンサーを開発し、耐久性の向上および大容量化を実現した。また、液層析出法/アノード酸化複合プロセスにより、直流エッチドアルミニウム箔上にTi-AI-O_x,複合酸化物皮膜を形成することに成功し、通常のアノード酸化皮膜に比べて50%の容量増大を見いだした。
2)新規Nb固体コンデンサーの試作:アノード酸化皮膜に覆われたニオブ電極を溶液、MnO2およびポリエチレンジオキシチオフェンに接触させて電極のカソード分極挙動を調べ、ニオブアノード酸化皮膜の新しい半導体的性質を見いだした。
3)マイクロアクチュエーターおよびマイクロリアクターの試作:アノード酸化/レーザー照射/金めっき/ピロール電解重合/素地金属溶解の新プロセルによるマイクロアクチュエーターの試作に成功するとともに、アノード酸化皮膜上に局部的に金属薄層を析出する技術を開発し、マイクロ電気化学リアクターの試作への準備を整えた。
4)アノード酸化/電気・無電解めっきによる酸化皮膜/金属複合層の作製:アノード酸化皮膜上にNiおよびCu層を無電解めっきおよび電気めっきにより均一形成することに成功した。また、金属層と酸化皮膜層との間の密着性を制御する技術について検討した結果、無電解Niめっきおよびそれに先立つパラジウム活性化処理の温度が重要な因子であることを見いだした。
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