2008 Fiscal Year Annual Research Report
バルブ金属のアノード酸化を基礎とするマイクロ・ナノ構造構築技術のフロンティア
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19206078
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
坂入 正敏 Hokkaido University, 大学院・工学研究科, 准教授 (50280847)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
菊地 竜也 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60374584)
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| Keywords | アノード酸化 / バルブ金属 / 微細加工 / レーザー / めっき / 液相析出 |
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| Research Abstract |
(1) アノード酸化皮膜を化成したアルミニウム試料に無電解Niめっき、電気Niめっき、導電性高分子析出および電気Cuめっきを行い、酸化皮膜/金属/導電性高分子/金属からなる複合層を作製した。Cuめっき層および高分子層を剥離し、再び導電性高分子析出/電気Cuめっきを行うことにより、再利用可能なアルミニウム製印刷板の試作に成功した。(2)ポーラス型アノード酸化皮膜を化成したアルミニウム試料にレーザー照射および無電解めっきを施すことにより、アノード酸化皮膜上への金属析出法を検討した。金属析出試料の酸化皮膜を溶解・除去することにより、局部ナノファイバーを有する微細構造の試作に成功した。また、レーザー照射によりアルミニウム表面に局部的な凹凸を作製したのち、アノード酸化を施すことにより、アルミニウムおよび酸化皮膜からなる模擬配線板を作製できた。(3)アノード酸化/レーザー照射/再アノード酸化の連続プロセスにより、局部的なアノード酸化皮膜形成法を開発した。良好な耐食性を有するアノード酸化皮膜化成法を検討するとともに、局部アノード酸化皮膜の成長メカニズムを明らかにし、電子デバイスへ応用するための知見を得た。(4)アノード酸化/液相析出法/再アノード酸化の複合プロセスにより、高誘電率複合酸化物皮膜の形成法を開発した。液相析出の際に発生する酸による初期アノード酸化皮膜の溶解量を最小限にする方法を確立し、アノード酸化のみの皮膜に比較して数十%電気容量の高い複合酸化物皮膜を得た。
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