2007 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
19310085
|
|---|
| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
|---|
Principal Investigator |
永瀬 雅夫 NTT Basic Research Laboratories, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (20393762)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
関根 佳明 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (70393783)
影島 博之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
山口 浩司 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 部長 (60374071)
岡本 創 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (20350465)
|
|---|
| Keywords | ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 計測工学 / グラフェン |
|---|
| Research Abstract |
次世代の高性能エレクトロニクス材料として期待されている数層グラフェン薄膜の電子物性の解明を目的に研究を進めている。本年度はSiC上の熱成長法で作製した数層グラフェンを低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)を用いて層数同定する技術を確立、及び、集積化ナノプローブによるグラフェン局所電子物性評価の基礎検討を行った。
LEEMに関する成果として、低エネルギー電子線のグラフェン層間での干渉により大きなコントラストが生じることを、実験的、及び、理論的に示すことが出来た。この技術を用いて、0〜3層程度の数層グラフェンの成長制御が可能となった。この成果は今後の高均一大面積エピタキシャル数層グラフェン基板の実現への第一歩と位置づけられる。
層数制御技術を活用して作製した数層グラフェンの局所物性評価を集積化ナノプローブの一種である、集積化ナノギャップ電極プローブで評価した。ナノギャップ電極間隔が30nmと小さいプローブを用いて、ナノサイズの単層グラフェン島の導電率計測を初めて成功した。多数のグラフェン島の計測から導電率がサイズに依存する等の定量的な計測が可能であることが示せた。通常はナノリソグラフィと複雑な微細加工技術でデバイス化を行う必要があるナノ領域の物性評価を比較的簡便な走査プローブ顕微鏡上でプローブのみを用いて行える。絶縁物上のナノ構造に自由にアクセスしてその物性計測が可能なプローブ技術を確立した意義は大きく、他のナノ構造系への波及効果も大きい。
また、LEEMによる層数同定技術、及び、集積化ナノプローブによる局所物性技術は独自技術として注目を浴びており、講演会等を通して日本のグラフェン研究の活性化に寄与することができた。
|
Research Products
(2 results)
