2009 Fiscal Year Annual Research Report
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19310085
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
永瀬 雅夫 NTT Basic Research Laboratories, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (20393762)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
関根 佳明 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (70393783)
影島 博之 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
山口 浩司 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 部長 (60374071)
岡本 創 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (20350465)
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| Keywords | ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 計測工学 / グラフェン |
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| Research Abstract |
ポストシリコンの高性能エレクトニクス材料とし期待される数層グラフェン薄膜の電子物性解明を目的に研究を進めている。昨年度までに、低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)を用いて、SiC上にエピタキシャル成長した数層グラフェンの層数を同定する技術を確立し、さらに、高均一なグラフェン薄膜の作製条件の探索を行い、超高真空中で高品質二層グラフェンの作製に成功した。また、その局所電子物性を独自開発した集積化ナノプローブにより評価して新たな知見を得ることができた。
今年度は、高均一・高品質グラフェン薄膜の電子物性評価を、走査プローブによるナノスケール評価、及び、デバイス化によるマクロスケール評価の両面から進めた。昨年度までに、明確となっていた均一グラフェンの基板ステップ部での導電性低下現象に関して、これが基板との相互作用の変調が原因であるとの推論に基づき、プローブとグラフェン/基板システムの力学応答を含めた知見の収集を行った。その結果、基板との相互作用の強さによりグラフェンとメタルプローブとのコンタクト抵抗を大幅に変調できることを発見した。また、別途進めている、SiC上グラフェンのtopゲートプロセスによるFET化にも成功し、特性の取得を行った。さらに、グラフェンの局所機械物性評価のための手法開発を行い、走査プローブによる励振、振動振幅同時検出手法を確立した。
これらの成果の発表・論文化を順調にすすめ、一方で、多くの招待講演・取材・執筆依頼を受けた。
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Research Products
(33 results)
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[Journal Article]2009
Author(s)
監修:斉木幸一朗、徳本洋志
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Journal Title
グラフェンの機能と応用展望(一部(第11章SiC上のグラフェン成長と電気特性)の執筆を分担)(シーエムシー出版)
Pages: 147-158
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