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2009 Fiscal Year Annual Research Report

s電子を利用した特異な磁性・電気伝導・誘電現象の探索

Research Project

Project/Area Number 19340098
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

東 正樹  Kyoto University, 化学研究所, 准教授 (40273510)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 島川 祐一  東京大学, 化学研究所, 教授 (20372550)
齋藤 高志  東京大学, 化学研究所, 助教 (40378857)
水牧 仁一郎  (財)高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門動的構造グループ, 副主幹研究員 (60360830)
Keywords強相関電子系 / 電子・電気材料 / 放射線・X線・粒子線
Research Abstract

今年度は以下の成果を得た。
1.BiNi03のBiを5%Laで置換したBi0.95La0.05Ni03は、昇温によってBi5+とNi2+の間で電荷移動が起こり、高温相は(Bi, La)3+Ni3+の酸化状態を持つ。この際、2.6%の体積収縮を起こす。歪みゲージを用いた線膨張係数の測定で、300Kから400Kの広い温度範囲に渡り、-24×10-6の負の熱膨張が起きていることを確認した。
2.代表的な圧電材料であるPZTと同様の菱面体晶-正方晶の固溶体である、BiFel-xCox03の圧電特性評価のため、化学溶液法でエピタキシャル薄膜試料を作成した。LaA103(001)上に作成した薄膜は、x=0.075までは菱面体晶だが、x=0.2ではバルク同様c/a=1.23の正方晶であった。また、x=0.1から0.15ではこれら2相の共存が観測された。AFMを用いた圧電測定の結果、BiFe03-では55pm/Vであった圧電定数d33が、10%のCo置換では100pm/Vに増大することが確かめられた。PZTを置き換える非鉛の圧電体として期待している。
3.水熱法で合成した新化合物Bi3Mn4012(NO3)がS=3/2反強磁性ハニカム格子を持つ事を見いだした。ハニカム格子は最近接相互作用だけを考えた場合フラストレーションを持たないが、この化合物中では次近接相互作用のために磁気フラストレーションを生じ、少なくとも0.4Kまで長距離秩序が起こらない。

  • Research Products

    (11 results)

All 2010 2009

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results) Presentation (5 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Crystal Structures and Electric Properties of (1-x) BiFeO3-xBiCoO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition2010

    • Author(s)
      Y.Nakamura, M.Kawai, M.Azuma, Y.Shimakawa
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. 49(掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Synthesis, Crystal Structure, and Magnetic Properties of Bi3Mn4O12 (NO3) Oxynitrate Comprising S=3/2 Honeycomb Lattice2009

    • Author(s)
      O Smirnova, M.Azuma, N.Kumada, Y.Kusano, M.Matsuda, Y.Shimakawa, T.Takei, Y.Yonesaki, N.Kinomura
    • Journal Title

      J.Am.Chem.Soc. 131

      Pages: 8313-8317

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Direct observation of the pressure-induced charge redistribution in BiNiO3 by x-ray absorption spectroscopy2009

    • Author(s)
      M.Mizumaki, N.Ishimatsu, N.Kawamura, M.Azuma, Y.Shimakawa, M.Takano, T.Uozumi
    • Journal Title

      Phys.Rev.B 80

      Pages: 233104-1-233104-4

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Pressure-Induced Transformation of 6H Hexagonal to 3C Perovskite Structure in PbMnO32009

    • Author(s)
      K.Oka, M.Azuma, S.Hirai, AA.Belik, H.Kojitani, M.Akaogi, M.Takano, Y.Shimakawa
    • Journal Title

      Inorg.Chem. 48

      Pages: 2285-2288

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Hydrothermal Synthesis of a New Double Perovskite-Type Bismuthate, (Ba0.75K0.14H0.11) BiO3・Nh2o2009

    • Author(s)
      H.Jiang, N.Kumada, Y.Yonesaki, T.Takei, N.Kinomura, M.Yashima, M.Azuma, K.Oka, Y.Shimakawa
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

      Pages: 010216-1-010216-3

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Frustrated S=3/2 Honeycomb Antiferromagnet Bi3Mn4O12 (NO3)2009

    • Author(s)
      東正樹
    • Organizer
      6th International Conference on Magnetism, Superconductivity and Phase Transitions in Novel and Complex Materials
    • Place of Presentation
      カルカッタ、インド
    • Year and Date
      2009-11-12
  • [Presentation] 巨大な正方晶歪みを持つPbTiO3型ペロブスカイトPbVO3とBiCoO32009

    • Author(s)
      東正樹
    • Organizer
      日本物理学会秋季大会
    • Place of Presentation
      熊本大学
    • Year and Date
      2009-09-26
  • [Presentation] 巨大な体積変化を伴うBiCoO3の圧力誘起スピン状態転移2009

    • Author(s)
      岡研吾
    • Organizer
      日本物理学会秋季大会
    • Place of Presentation
      熊本大学
    • Year and Date
      2009-09-26
  • [Presentation] Pressure-Induced Intermetallic Valence Transition in BiNiO32009

    • Author(s)
      東正樹
    • Organizer
      International Conference on High Pressure Science and Technology (AIRAPT-22 & HPCJ-50)
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2009-07-31
  • [Presentation] Magnetic ground state of PbVO3 and origin of the large tetragonal distortion2009

    • Author(s)
      岡研吾
    • Organizer
      International Conference on High Pressure Science and Technology (AIRAPT-22 & HPCJ-50)
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2009-07-31
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 圧電薄膜, 圧電素子, 圧電素子の製造方法, 液体吐出ヘッドおよび超音波モータ2010

    • Inventor(s)
      東正樹, 中村嘉孝, 他8名
    • Industrial Property Rights Holder
      キヤノン株式会社, 京都大学
    • Industrial Property Number
      特願2010-045907
    • Filing Date
      2010-03-02

URL: 

Published: 2011-06-16   Modified: 2016-04-21  

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