2008 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
19340103
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
高野 義彦 National Institute for Materials Science, 超伝導材料センター, グループリーダー (10354341)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山口 尚秀 独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導材料センター, 主任研究員 (70399385)
津田 俊輔 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキ研究拠点, 若手独立研究者 (80422442)
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Keywords | ダイヤモンド / 超伝導 / ホウ素 / 金属 / 絶縁体 / 半導体 / ジョセフソン / 薄膜 |
Research Abstract |
本研究は、ダイヤモンド超伝導体の電子状態や超伝導発現機構の理解を深め、半導体におこる超伝導という新規な特徴を生かした新しい基礎デバイスの開発を試みるものである。バンドギャップおよびインギャップの電子状態を詳しく理解するために、X線吸収発光スペクトルや光電子分光、低温STS測定、超強磁場NMRを行った。その結果、ドープしたホウ素に複数のサイトがあることが理解された。バンド計算等から、ホウ素が単独に炭素サイトを置換した時のみ、キャリアがドープされ、ペアーやクラスターなどを形成した場合、キャリアに貢献しないことが明らかになり、より高いTcを達成するためには、単独のホウ素を増やす必要があることが分かった。ダイヤモンドは、ホウ素濃度を制御することによって、絶縁体から半導体、金属、超伝導と様々に物性を制御することが可能である。この特徴を生かして、ダイヤモンドのみで積層型デバイスを開発するために、良質な超薄膜成長を試みた。これまで、超薄膜ではバルク並みのTcが得られなかったが、成膜条件を改良し40nmの薄膜でもバルク並に高いTcを出現させることに成功した。この技術を応用し、二枚の超伝導ダイヤモンド超薄膜の間に、金属絶縁体転移(B=3e20cm-3)に僅かに達しない絶縁体ダイヤモンド層を積層させることに成功し、ダイヤモンド超伝導体で初の積層型ジョセフソン接合の作製に成功した。一方、鉄系超伝導体は、半導体にキャリアドープし超伝導が発現した点で、ダイヤモンドの超伝導と大変類似する。我々は、二元素系でありながらTc=約13Kを示す超伝導体FeSeに着目し、Tcが圧力下で27Kへ倍増することを見出した。
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[Journal Article] Temperature-Dependent Localized Excitations of Doped Carriers in Superconducting Diamond2008
Author(s)
Kyoko Ishizaka, Ritsuko Eguchi, Shunsuke Tsuda, A. Chainani, Takayoshi Yokoya, Takayuki Kiss, Takahiro Shimojima, Tadashi Togashi, Shuntaro Watanabe, C.-T. Chen, Yoshihiko Takano, Masanori Nagao, Isao Sakaguchi, Tomohiro Takenouchi, Hiroshi Kawarada, Shin Shik
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Journal Title
PHYSICAL REVIEW LETTERS 100
Pages: 166402-1-166402-4
Peer Reviewed
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[Journal Article] Holes in the Valence Band of Superconducting Boron-Doped Diamond Film Studied by Soft X-ray Absorption and Emission Spectroscopy2008
Author(s)
Jin Nakamura, Nobuyoshi Yamada, Kazuhiko Kuroki, Tamio Oguchi, Kozo Okada, Yoshihiko Takano, Masanori Nagao, Isao Sakaguchi, Tomohiro Takenouchi, Kawarada Hiroshi, Rupert C. C. PERERA5, David L. EDERER
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Journal Title
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 77
Pages: 054711-1-054711-6
Peer Reviewed
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[Presentation] 光電子分光による高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの金属-絶縁体転移前後の電子状態の観測2009
Author(s)
岡崎宏之, 菅原克明, 佐藤宇史, 横谷尚睦, 高橋隆, 脇田高徳, 村岡祐治, 平井正明, 高野義彦, 石井聡, 入山慎吾, 川原田洋
Organizer
日本物理学会
Place of Presentation
立教大学,東京都
Year and Date
20090327-20090330
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[Presentation] シリコンの光電子分光:ボロン濃度依存性/ Photoemission study of silicon : boron concentration dependence2008
Author(s)
脇田高徳, 岡崎宏之, 佐伯邦成, 小野雅紀, 江口豊明, 奥田太一, 原沢あゆみ, 松田巌, 長谷川幸雄, 高野義彦, 平井正明, 村岡祐治, 横谷尚睦
Organizer
日本物理学会
Place of Presentation
岩手大学,岩手県
Year and Date
20080920-20080923
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[Presentation] Localized Nature of Carriers in Boron-Doped Diamond Revealed by Laser Photoemission Spectroscopy2008
Author(s)
Kyoko Ishizaka, Ritsuko Eguchi, Shunsuke Tsuda, Takayuki Kiss, Takayoshi Yokoya, A. Chainani, Takahiro Shimojima, Shik Shin, Tadashi Togashi, Shuntaro Watanabe, C. T. Chen, Yoshihiko Takano, Masanori Nagao, Sakaguchi Isao, Tomohiro Takenouchi, Hiroshi Kawarada
Organizer
IWSDRM2008
Place of Presentation
(独)物質・材料研究機構物材機構,つくば市
Year and Date
20080707-20080709
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