2007 Fiscal Year Annual Research Report
最高の臨界温度を示す水銀系高温超伝導体の高品質単結晶育成:超伝導機構解明への展開
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19340106
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
永崎 洋 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (20242018)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
本橋 輝樹 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助手 (00323840)
山内 尚雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50271581)
山本 文子 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 協力研究員 (50398898)
伊豫 彰一 独立行政法人産業技術総合研究所, 主任研究員 (50356523)
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| Keywords | 高温超伝導 / 単結晶育成 |
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| Research Abstract |
本研究では、最高のTcを有するHg系銅酸化物高温超伝導体HgBa2Can-1Cun02n+2(n=1-3)の大型高品質単結晶育成技術を確立することを目的として研究を行ってきた。初年度にあたる平成19年度では、以下の各事項を試み、いずれも所定の目的を達した。
1.Hg系銅酸化物単結晶育成に最適な出発原料(必要次第では自作)、前駆体の調製手法の確立。BaO2、Ba(NO3)2を出発原料として試み、高純度の前駆体を作製できる条件(出発原料の組み合わせ、焼成温度、雰囲気等)を駐中津した。
2.Hg0の蒸気圧を抑えるための防爆容器の開発と最適化。従来の多段型アンプル封入法を改良・進化させた、インコネル製の耐圧容器を開発し、1050℃、10気圧下における安定結晶育成を達成した。
上記の実験環境を利用し、n=1の単結晶育成について、数ミリ角の大型試料の育成に成功した。又、キャリア濃度の精密制御を行うため、ポストアニーリング装置を開発し、得られた単結晶のドーピングレベルを変化させることにも成功を収めた。
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