2008 Fiscal Year Final Research Report
Research on operation mechanism of organic transistors investigated by in situ and real time measurement of electronic states and morphology
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19360004
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
SAIKI Koichiro The University of Tokyo, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (70143394)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
IKEDA Susumu 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (20401234)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 有機トランジスタ / 移動度 / 薄膜成長 / 表面エネルギー / ペンタセン / フラレン / セキシチオフェン / 電子分光 |
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| Research Abstract |
有機薄膜デバイスの特性向上のためには,実デバイス構造においてのトランジスタ特性と表面形態,表面電子状態の相関を解明することが重要である.われわれが開発した紫外光電子分光とトランジスタ特性を同時に測定することのできる装置を用いて有機トランジスタの電荷極性,電界効果移動度と,価電子状態を詳細に測定した結果,有機半導体のギャップ内における電極金属のフェルミ準位の位置により電荷極性および移動度が決まることがわかった.
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