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2007 Fiscal Year Annual Research Report

半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発

Research Project

Project/Area Number 19360006
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

田渕 雅夫  Nagoya University, 大学院・工学研究科, 准教授 (90222124)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 竹田 美和  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20111932)
宇治原 徹  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60312641)
渕 真悟  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60432241)
Keywords結晶工学 / 結晶成長 / 半導体超微細化 / 量子井戸
Research Abstract

本研究では、半導体結晶成長その揚観察のためのX線散乱測定装置に必要なX線光学系を新しく構築することを目指した。
最も重要なのは、入射光に角度分散のあるX線を使用することで、これによって、試料結晶の角度を変化させてスキャンを行なう必要が無くなり、実験室レベルのX線源でX線CTR散乱測定が可能となる。角度分散のあるX線源を使用することのもう一つの大きなメリットは、結晶、検出器等、測定系を構成する要素を全て固定することができ、測定のために回転移動させる必要がなくなることである。これはX線を使ったその場観察を行う際に特に重要である。従来であれば、入射X線の角度を変えるために、結晶成長装置を含めて全体を専用に設計されたその場観察の測定系が必要であった。これに対して、本研究で開発する測定系では、結晶を全く動かす必要がないことから、既存の設計の結晶成長装置をそのまま使用することができる。さらに、線源側、検出器側共に全く可動する必要がないため、各々の構成要素を、容易に着脱可能な独立のユニットとして結晶成長装置周りに配置することができ、既存の結晶成長装置に取り付け可能な場観察装置とすることができる。
H19年度には、集光回折結晶の設計と設置を行った。集光結晶は予定していた強度のと集光角を実現しており、その場観察可能なX線散乱測定そうちの実現が期待できる。H20年度には、検出器側には2次元X線検出器を準備し、測定系としての完成を目指す。

  • Research Products

    (4 results)

All 2007

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (3 results)

  • [Journal Article] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interfac2007

    • Author(s)
      M. Tabuchi
    • Journal Title

      J. Phys.: Conference Series 83

      Pages: 012031

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007

    • Author(s)
      M. Tabuchi
    • Organizer
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • Place of Presentation
      Salt Lake City, Utah, USA
    • Year and Date
      20070812-17
  • [Presentation] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007

    • Author(s)
      M. Tabuchi
    • Organizer
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • Place of Presentation
      Salt Lake City, Utah, USA
    • Year and Date
      20070812-17
  • [Presentation] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007

    • Author(s)
      A. Mori
    • Organizer
      Indium Posphide and Related Materials 2007
    • Place of Presentation
      Matsue, Japan
    • Year and Date
      20070514-18

URL: 

Published: 2010-02-04   Modified: 2016-04-21  

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