2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of X-ray scattering measurement system for in-situ observations of semiconductor crystalline growth
| Project/Area Number |
19360006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
TABUCHI Masao Nagoya University, 大学院・工学研究科, 准教授 (90222124)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TAKEDA Yoshikazu 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 工学研究科 (20111932)
UJIHARA Toru 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60312641)
FUCHI Shingo 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60432241)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | X 線回折・散乱 / 半導体結晶成長 / その場観察 / ヨハンソン分光結晶 |
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| Research Abstract |
究極の半導体デバイス開発に必要な、1原子層の精度で界面を評価するX線CTR散乱測定の新しい測定系の開発を行った.固定された試料結晶が焦点に来るように集光されたX 線源と2次元の検出器を組み合わせることで、1) 実験室レベルのX 線源で実現可能、2) 可動部を不要、3) 他の装置等との組み合わせ可能、などの様々な利点を持つ測定系が構築でき、従来のより大型の装置と遜色のない性能をえた.
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