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2008 Fiscal Year Final Research Report

Oxidation kinetics of Si(110) surface and electrical properties of the oxide as a basis for next-generation CMOS devices

Research Project

  • PDF
Project/Area Number 19360015
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Research Field Thin film/Surface and interfacial physical properties
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

SUEMITSU Maki  Tohoku University, 電気通信研究所, 教授 (00134057)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) TERAOKA Yuden  独立行政法人日本原子力研究開機構, 放射光科学研究ユニット, サブリーダー (10343922)
ASAOKA Hidehito  独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (40370340)
ENDO Tetsuo  東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授 (00271990)
Project Period (FY) 2007 – 2008
KeywordsSi(110) / 初期酸化 / リアルタイム光電子分光測定 / 「その場」走査トンネル顕微鏡測定
Research Abstract

CMOS活性面として長く使われてきたSi(100)面の物性的限界に伴い, Si(110)面の使用が注目を集めている。本研究はこのSi(110)面の酸化機構の解明を目的として遂行され, 以下を明らかにした。
(1) Si(110)-16×2清浄表面の初期酸化過程において, 16×2再配列構造を構成するペンタゴンペアへの優先酸化を中心とするSi(110)表面に特徴的な酸化機構を見出した.
(2) Si(110)面初期酸化では, 4価の酸化状態が支配的なSi(100)面酸化と大きく異なり, 3価の酸化状態が1原子層酸化膜の形成まで一貫して支配的であることを明らかにし, これがSi(110)結晶構造に起因することを示した.
(3) Si(110)-16×2表面に酸素を室温吸着させ, これを300℃アニールすることによって室温吸着酸化状態が熱酸化膜に近い酸化構造へと移動することを見出し, Si(100)や(111)面で確認されていた準安定酸化吸着状態がSi(110)にも存在する事を初めて明らかにした.
(4) 光電子分光と表面歪測定を比較測定し, 酸化の進行に伴い, 結晶構造を反映した異方性を伴う表面歪が発生することを初めて明らかにした.

  • Research Products

    (19 results)

All 2009 2008 2007

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (13 results)

  • [Journal Article] Initial oxidation of Si(110)as studied by real-time synchrotron-radiation x-ray photoemission spectroscopy2009

    • Author(s)
      M. Suemitsu, Y. Yamamoto, H. Togashi, Y. Enta, A. Yoshigoe, Y. Teraoka
    • Journal Title

      J.Vac.Sci.Technol B27(1)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] SR-PES and STM observation of metastable chemisorpion sate of oxygen Si(110)-16X2surface2008

    • Author(s)
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Hidehito Asaoka, Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Yuden Teraoka, AkitakMaki Suemitsu
    • Journal Title

      Appl. Sur. Sci. 254

      Pages: 6232-6234

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Bonding Structure of Ultrathin Oxides on Si(110)Surface2008

    • Author(s)
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe
    • Journal Title

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc.

      Pages: 1074-I03-50

  • [Journal Article] Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定2008

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 松本光正, 加藤篤, 齋藤英司, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術研究報告 108

      Pages: 65-70

  • [Journal Article] XPS and STM Studies on Initial Oxidation of Si(110)-16X22007

    • Author(s)
      Maki Suemitsu, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takaghashi, Atsushi Konno, Yoshihisa Yamamoto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takaghashi, Atsushi Konno, Yoshihisa Yamamoto, YudeHidehito Asaoka
    • Journal Title

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 996H

  • [Journal Article] Observation of Initial Oxidation on Si(110)-16×2 Surface by Scanning Tunneling Observation of Initial Oxidation on Si(110)-16×2Microscopy2007

    • Author(s)
      Hideaki Togashi, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Hidehito Asaoka, Maki Suemitsu
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      Pages: 3239-3243

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Si(110)初期酸化時の化学結合状態および基板曲率のリアルタイム計測2008

    • Author(s)
      末光眞希, 遠田義晴, 寺岡有殿, 吉越章越, 朝末光眞希, 遠田義晴岡秀人, 山崎竜也
    • Organizer
      第63回応用物理学会東北支部学術講演会
    • Place of Presentation
      宮城
    • Year and Date
      2008-12-05
  • [Presentation] Si(110)面上1原子層酸化膜の結合状態のSR-PESによる評価2008

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 松本光正, 加藤篤, 齋藤英司, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
    • Year and Date
      2008-09-02
  • [Presentation] Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定2008

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 松本光正, 加藤篤, 齋藤英司, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • Organizer
      シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • Year and Date
      2008-06-10
  • [Presentation] Si(110)面上1原子層酸化膜の形成過程とその界面結合状態2008

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 加末光眞希, 成田克, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      千葉
    • Year and Date
      2008-03-28
  • [Presentation] SR-PESとSTMによるSi(110)-16×2室温酸化表面上の準安定状態の観察2008

    • Author(s)
      富樫秀晃, 山本喜久, 後藤成一, 高橋裕也, 中野卓哉, 今野篤史, 末光眞希, 朝岡秀人, 吉越章隆
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      千葉
    • Year and Date
      2008-03-27
  • [Presentation] Bonding Structure of Ultrathin Oxides on Si(110)Surface2008

    • Author(s)
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe
    • Organizer
      2008 Materials Research Society(MRS)Spring Meeting
    • Place of Presentation
      San Francisco(USA)
    • Year and Date
      2008-03-24
  • [Presentation] Si(110)表面酸化・準安定吸着状態のSR-PES観察2008

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • Organizer
      第3回JAEA放射光科学研究シンポジウム
    • Place of Presentation
      兵庫
    • Year and Date
      2008-02-28
  • [Presentation] Si(110)-16×2面上極薄酸化膜形成過程とその界面構造2008

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 加藤篤, 末光眞希, 成田克, 吉越章隆, 寺岡有殿
    • Organizer
      第13回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • Place of Presentation
      静岡
    • Year and Date
      2008-01-13
  • [Presentation] Real-time monitoring of initial oxidation of Si(110)-16×2 surface by Si 2p Photoemission spectroscopy2007

    • Author(s)
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Konno, Satoshi Hasegawa, Seiiti Goto, Takuya Nakano, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka
    • Organizer
      2007 International Conference on Solid StateDevice and Materialis
    • Place of Presentation
      Ibarak
    • Year and Date
      20070918-21
  • [Presentation] SR-PES Observation of Metastable Chemisorption State of Oxygen on Si(110)-16×2 Surface2007

    • Author(s)
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Satoshi Hasegawa, Takuya NakanoSeiichi Goto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu
    • Organizer
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-V)
    • Place of Presentation
      Tokyo
    • Year and Date
      2007-11-13
  • [Presentation] Metastable Chemisorption State of Oxygeon Si(110)-16×2 Surface Observed by SR-PES2007

    • Author(s)
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Konno, Satoshi Hasegawa, Takuya Nakano, Seiichi Goto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu
    • Organizer
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Year and Date
      2007-11-09
  • [Presentation] Si(110)-16×2面のリアルタイムSR-XPS観測と自己触媒反応モデル2007

    • Author(s)
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 加藤篤, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • Organizer
      第68回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道
    • Year and Date
      2007-09-07
  • [Presentation] Si(110)-16×2表面の急速初期酸化現象と表面再配列2007

    • Author(s)
      富樫秀晃, 山本喜久, 後藤成一, 高橋裕也, 中野卓哉, 今野篤史, 末光眞希, 朝岡秀人, 吉越章隆, 寺岡有殿
    • Organizer
      第68回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道
    • Year and Date
      2007-09-05

URL: 

Published: 2010-06-10   Modified: 2016-04-21  

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