2008 Fiscal Year Annual Research Report
プラズマ支援レーザCVD法による5H-BNミクロコーン薄膜の大気中電界電子放出
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19360022
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
小松 正二郎 National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, グループリーダ (70343845)
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| Keywords | プラズマ / レーザ / 電子放出 / BN / 薄膜 |
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| Research Abstract |
(1)電子放出特性に与える基板の影響
(実施計画)基板の材質、導電特性などがFE特性に与える影響の解明に取りかかる。
(実施結果)シリコンn型基板上で、sp3結合性BNのp型薄膜が形成されていることが明らかになり、整流特性他よりヘテロpn接合が確認された。又、アルミ基板を用いた場合、ショットキー接合効果は回避できることが判明した。これらは、電子放出のみならず、BNの電子デバイス化にとって重要な結果である。
(2)ミクロコーンエミッターの分布制御(電子放出特性・材料合成)
(実施計画)コーン分布制御の試みとして、基板側のパターン形成(ダイシング、酸化膜パターンなど)を積極的に利用して、特にエミッターアレイの形成を目指した研究を進める。
(実施結果)ダイシングの結果、コーンの生成密度の制御が可能なことが示唆されたが、酸化膜パターンでは、顕著な影響は見られなかった。これはコーン分布制御できる可能性を示す点で重要である。
(3)スパッタ・ドーピングによるFE特性制御
(実施計画)スパッタドーピングによる薄膜の導電特性の制御法を調べる。
(実施結果)プラズマCVD装置に位置制御可能なスパッタ源を導入し、プラズマCVDとスパッタドープを同時に行う実験を開始し、従来のプラズマCVDの圧力条件でも、スパッタが進行することを確認した。
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