2009 Fiscal Year Annual Research Report
プラズマ支援レーザCVD法による5H-BNミクロコーン薄膜の大気中電界電子放出
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19360022
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
小松 正二郎 National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, グループリーダー (70343845)
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| Keywords | プラズマ / レーザ / 電子放出 / BN / 薄膜 |
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| Research Abstract |
(1)「BNミクロコーン電子エミッターによる大気中電界電子放出」が、非線形共同現象であることを、新たに考案した力学系モデルを実験結果に適用することにより解明した(論文投稿中)。
(2)導電性の起源の解明。本来絶縁体である高密度BNが電子放出を可能にするような導電性を持つことは不可解であるが、これは、Siのレーザー支援ドーピングによる半導体化(p型)によるものであることを実験的に明らかにできた(論文化)。
(3)BNミクロコーンエミッター性能の基板材質依存性の解明。本BNがSiドープのP型半導体であることから、ショットキー障壁を伴う接合になる材質は避けるべきであること、n型基板を採用したの場合の整流効果を設計上考慮しなければならないこと等、実験的に明らかにできた(論文化)。
(4)ミクロコーン形成機構が、基本的にデポジションではなく、アブレーション(光励起エッチング)であることが、PCVDによるBN薄膜のPost-Depsotion Laser Irradiation手法(新開発)によって、明らかにできた(論文準備中)。
(5)紫外光励起による高密度相への相変化を実験的に明らかにできた(論文投稿中)。
(6)高密度相BN多形の新しい構造を2種類発見した(論文投稿中)。
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[Journal Article] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method2009
Author(s)
Komatsu, S.; Sato, Y.; Hirano, D.; Nakamura, T.; Koga, K.; Yamamoto, A.; Nagata, T ; Chikyo, T.; Watanabe, T.; Takizawa, T.; Nakamura, K.; Hashimoto, T.; Shiratani, M.
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Journal Title
J.Phys.D : Appl.Phys. 42
Pages: 225107, 225112
Peer Reviewed
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