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2010 Fiscal Year Annual Research Report

プラズマ支援レーザCVD法による5H-BNミクロコーン薄膜の大気中電界電子放出

Research Project

Project/Area Number 19360022
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

小松 正二郎  独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー (60183810)

Keywordsプラズマ / レーザ / 電子放出 / BN / 薄膜
Research Abstract

電界電子放出特性は、仕事関数、表面準位などに強く依存するが、これらは物質の電子構造に依存する。そして、電子構造は、結晶構造によって決定される。レーザ・プラズマ複合化CVD等により得られるsp3-結合性BN薄膜の電界電子放出特性の研究において、従って、結晶構造の詳細な検討が必要とされた。特に、本手法により、sp3-結合性BNの新規多形として、われわれが既に発表・登録した5H-BNに加えて、われわれは新たに6H-BN及び30H-BNを見出したため、上述の観点からこれら、新規結晶結晶構造の検討とその電子物性の関係を明らかにする必要性が生じた。又、今回、sp3-結合性6H-BNが正式にICDD(International Center of Diffdraction Data)に登録されたことも特筆に値する。ここで、共同研究者の小林による第一原理計算からsp3-結合性BNの2Hから30Hに至る多形列の熱力学的安定性(非平衡性)を求め、それをionicity, close-packing index, hexagonalityy等の指標によってダイアグラム化する構造解析の新手法を開発し、個々の多形の結晶学的な位置付けに関する新観点をもたらすことに成功した。特に、長周期の多形30H-BNは格子定数cが60Aに達し、このように単位胞が巨大化することで、ポーラロンなどの有効半径に近づき、導電性の異常などの新たな物性が見出される可能性が指摘できた。従来の仕事関数、表面準位、negative electron affinity (NEA)等が、電界電子放出に寄与するという枠組みを超えた可能性が、多形研究から見出されたことを示す。又、非線形電界電子放出モデルの開発も進み、エミッター分布が特性に与える影響の解析が進んだ。

  • Research Products

    (13 results)

All 2011 2010

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (10 results)

  • [Journal Article] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN2010

    • Author(s)
      Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
    • Journal Title

      J.Phys.Chem.C

      Volume: 114 Pages: 13176-13186

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] First-Principles Study of 30H-BN Polytypes2010

    • Author(s)
      Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
    • Journal Title

      Materials Transactions

      Volume: 51(9) Pages: 1497-1503

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] First-principles study of 6H-AlN under various pressure conditions2010

    • Author(s)
      Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
    • Journal Title

      Journal of Physics : Conference Series

      Volume: 215 Pages: 012111-1-012111-9

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods2011

    • Author(s)
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • Organizer
      The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
    • Place of Presentation
      Krvavcem, Hotel Raj (スロベニア)(招待講演)
    • Year and Date
      20110301-20110304
  • [Presentation] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BNの新結晶相:基礎と電子デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices2011

    • Author(s)
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • Organizer
      ICACNM-2011
    • Place of Presentation
      Chandigarh, Panjab University (インド)(招待講演)
    • Year and Date
      20110223-20110226
  • [Presentation] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods2011

    • Author(s)
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • Organizer
      ICNC 2011
    • Place of Presentation
      Kottayam, Mahatma Gandhi University (インド)(招待講演)
    • Year and Date
      20110107-20110109
  • [Presentation] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications2010

    • Author(s)
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • Organizer
      TENCON2010
    • Place of Presentation
      福岡国際会議場(福岡県)
    • Year and Date
      20101121-20101124
  • [Presentation] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition2010

    • Author(s)
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • Organizer
      ICRP7
    • Place of Presentation
      Maison de la Chimie(フランス)
    • Year and Date
      20101004-20101008
  • [Presentation] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing2010

    • Author(s)
      小松正二郎, 小林一昭
    • Organizer
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学文教キャンパス(長崎県)
    • Year and Date
      20100914-20100917
  • [Presentation] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials2010

    • Author(s)
      小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
    • Organizer
      新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
    • Place of Presentation
      京都大学(京都府)
    • Year and Date
      20100820-20100821
  • [Presentation] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials2010

    • Author(s)
      小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
    • Organizer
      新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
    • Place of Presentation
      南明ホテル(静岡県)
    • Year and Date
      20100515-20100516
  • [Presentation] 30H-BNポリタイプ構造の第一原理計算/First-principles study of 30H-BN polytypes2010

    • Author(s)
      小林一昭、小松正二郎
    • Organizer
      第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場(エポカルつくば)(茨城県)
    • Year and Date
      2010-10-21
  • [Presentation] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用 Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications2010

    • Author(s)
      小松正二郎
    • Organizer
      九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
    • Place of Presentation
      九州大学伊都キャンパス(福岡県)(招待講演)
    • Year and Date
      2010-06-12

URL: 

Published: 2012-07-19  

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