Electron field emission from sp3-bonded 5H-BN micro-cones prepared by plasma-assisted chemical vapor deposition

2009 Fiscal Year Self-evaluation Report

• Project/Area Number: 19360022
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: KOMATSU Shojiro National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, グループリーダー (70343845)
• Project Period (FY): 2007 – 2010
• Keywords: プラズマ / レーザ / 電子放出 / BN / 薄膜

Research Abstract

本研究は、自己組織的に形成されたBNミクロコーン電子エミッター薄膜が大気中で電界電子放出するという独自発見の新現象を対象とし、同現象の基礎的な解明と、ミクロコーン形成機構の解明、およびその構造・分布などの制御により、実用化に向けての基礎を固めることを目的とする。

Research Products

• [Journal Article] (2009)
  • Author(s): Komatsu, S., Sato, Y., Hirano, D., Nakamura, T., Koga, K., Yamamoto, A., Nagata, T, Chikyo, T., Watanabe, T., Takizawa, T., Nakamura, K., Hashimoto, T., Shiratani, M. J.
  • Journal Title: Phys.D : Appl.Phys. 42 Pages: 225107-12
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2007)
  • Author(s): Komatsu S, Ohta E, Tanaka H, Moriyoshi Y, Nakajima K, Chikyo T, Shiratani M
  • Journal Title: J.Appl.Phys. 101 Pages: 084904-8
  • Peer Reviewed
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池 (2009)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: AEPSE 2009
  • Place of Presentation: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • Year and Date: 2009-09-22
• [Presentation] 新機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: ISBB2008
  • Place of Presentation: くにびきメッセ, 松江市
  • Year and Date: 2008-09-08
• [Presentation] プラズマ支援レーザCVDによるsp3結合性5H-BN電子エミッター薄膜の成長と特性 (2007)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: ICONO/LAT2007
  • Place of Presentation: National Cultural Center, Minsk, Belarus
  • Year and Date: 2007-05-28
• [Patent(Industrial Property Rights)] sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔, 長田貴弘
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 特許特願2008-081434
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] コーン・エミッタの形成方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 特許特願2008-081441
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体材料とその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 特許特願2008-081863
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 岡田勝行, 守吉佑介
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 米国特許7419572
  • Acquisition Date: 2008-09-09