Development of reflectance difference spectroscopy (RDS) in the vacuum ultraviolet range and its application to characterization of ordering states at the dielectrics interfaces formed on the new channel materials

2008 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 19360025
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: YASUDA Tetsuji National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 (90220152)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): FUJIWARA Hiroyuki 国立大学法人岐阜大学, 工学部, 教授 (40344444) ; TANAKA Masatoshi 国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (90130400) ; OHNO Shinya 国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Keywords: 表面 / 界面物性 / 電子 / 電気材料 / 光物性 / 半導体超微細化

Research Abstract

表面・界面に敏感な光学測定として知られる反射率差分光(RDS)の測定エネルギー域を、従来の可視・紫外域(1~5 eV)から、真空紫外領域(~8.5 eV)へ拡張した装置を開発した。この装置を用いて、電界効果トランジスタの新チャネル材料上のゲート絶縁膜界面の構造を評価した。その結果、Siナノワイヤチャネル側面のモデルである高指数面上の熱酸化膜において、熱負荷とともに界面構造が変化する現象を見出した。また、高移動度チャネルとして有望なGeやIII-V族半導体への絶縁膜形成において、界面光学応答が変化する様子を観測した。

Research Products

• [Presentation] Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価 (2009)
  • Author(s): 尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
  • Organizer: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第14回研究会
  • Place of Presentation: 東レ総合研修センター
  • Year and Date: 2009-01-22
• [Presentation] 真空紫外RDSによるSi高指数面上の酸化膜界面構造の評価 (2008)
  • Author(s): 尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
  • Organizer: 69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学
  • Year and Date: 2008-09-02