2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices
| Project/Area Number |
19360138
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
ISHIKAWA Yasuhiko The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 講師 (60303541)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
WADA Kazumi 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511)
KAMIURA Yoichi 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (30033244)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 薄膜・量子構造 |
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| Research Abstract |
室温動作するSi 系1.5μm 帯発光素子実現に向け、Er をドープしたSi 量子井戸を作製し、発光特性評価を行った。検討した2 種類の方法のうち、SiO2 上へのEr ドープSi 成長を利用する方法により、多結晶ではあるがEr ドープSi 量子井戸の作製に成功した。フォトルミネセンス測定の結果、Er の内殻遷移による1.54μm の室温発光を得ることができた。Si の量子井戸化により温度消光が低減されるという本研究提案が実証できた可能性がある。
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