2009 Fiscal Year Annual Research Report
ガドリニウム添加窒化アルミニウムを用いた新規紫外光発光デバイスの作製
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19360148
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
鈴木 彰 Ritsumeikan University, 総合理工学研究機構, 教授 (10111931)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田中 悟 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (80281640)
園田 早紀 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 准教授 (30397690)
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 准教授 (20312126)
江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
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| Keywords | ワイドギャップ半導体 / 窒化アルミニウム / ガドリニウム / 希土類 / MBE成長法 / スパッタ製膜法 / 紫外発光 / 内殻遷移 |
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| Research Abstract |
1.研究目的
Gd添加窒化アルミニウムからの紫外発光を新規な紫外発光デバイスの作製に応用することを最終目標として、MBE法とスパッタ法による、Gd添加のAlN膜作製条件の検討と紫外発光特性の評価を行った。
2.スパッタ膜作製条件の検討
Si基板上のスパッタ堆積Gd添加AlN膜の紫外発光特性の堆積条件依存性を調べた。Gd添加でAlN膜からの約315nmの紫外発光特性、膜の結晶品質と、ガス圧、ガス比、混入酸素濃度、堆積速度、基板温度等のスパッタ堆積条件との関連に関する知見を得た。
3.MBE成長膜の光学特性の解析
SiC基板上のMBE成長Gd添加AlN膜の紫外発光特性の光学特性の解析を行った。Gd添加AlN膜からの約315nmの紫外発光の発光特性を調べた。特にUVSOR(紫外シンクロトロン放射光)を用いた極低温測定で315nm(3.9eV)の発光の励起スペクトルを初めて観測した。発光機構についての検討を行った。
4.研究成果発表
これらの研究成果を、応用物理学会、第8回窒化物半導体国際会議で学会発表し、MRS学会プロシーディングス、Physica Status Solidi誌に論文投稿した。
5.発光デバイス作製
これらの成果をもとに、本研究の最終目的である新規紫外発光デバイスの作製を目指したが、作製にまでは至らなかった。
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