2007 Fiscal Year Annual Research Report
ナノスケールで制御された凝集構造を有する25nmサイズの微細レジスト
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19360157
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| Research Institution | Nagaoka University of Technology |
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Principal Investigator |
河合 晃 Nagaoka University of Technology, 工学部・(電気系), 准教授 (00251851)
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| Keywords | レジストパターン / 付着力 / 原子間力顕微鏡 / 半導体集積回路 / 高分子集合体 / リソグラフィー / ナノスケールパターン / 空孔 |
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| Research Abstract |
近年、システムLSIおよびNAND型Flashメモリに代表されるULSIは、その高集積化と高機能化が加速され、2012年には設計ルールが25nmである微細デバイスの実用化が期待されている。今後は、25nmサイズといった、高分子材料としては極限に近いサイズでのパターン形成が求められており、ナノスケールでの凝集構造の制御が重要視されている。このような背景に基づき、本研究では、AFM等を用いて、これらのナノスケールの凝集構造の制御を実験的に試み、理想的な凝集構造を有する微細レジストパターンの構築を目的としている。Hl9年度4〜9月にかけては、レジストパターン表面へTipを押込むことにより、表面硬化層の検出と膜内の凝集性の測定を実施した。また、レジストパターン内の存在する高分子集合体のvacancyの検出を、H19年10月〜12月に実施した。H20年1〜3月には、細分化した高分子集合体の再配列と凝集実験に取り組んだ。これらにより、vacancy内への溶液の浸入などの新たな情報を得ることができ、高分子集合体の凝集挙動が明確になった。成果として、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、レジストパターンの付着性を支配する要因、個々の高分子集合体間の相互作用力を実験的に明確にした。これらにより、加工精度が高く付着性も良好なレジスト材料の設計モデルを構築し、25nmサイズの微小レジストパターンの最適化を実施してきた。今後、この技術により、分離した高分子集合体をナノスケールで移動できることにより、パターン内の任意の位置に再凝集させて、パターン全体の凝集性を改良する。
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