2008 Fiscal Year Final Research Report

Research of reliable Ge transistor having atomic layer deposited gate dielectrics

Research Project

Project/Area Number	19360164
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Research Field	Electron device/Electronic equipment
Research Institution	Hiroshima University
Principal Investigator	NAKAJIMA Anri Hiroshima University, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	YOKOYAMA Shin 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (80144880)
Project Period (FY)	2007 – 2008
Keywords	Ge基板 / MOSトランジスタ / 原子層成長 / ゲート絶縁膜 / 信頼性
Research Abstract	tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。

(1 results)