2007 Fiscal Year Annual Research Report
フレキシブル薄膜ガラス上の立体ゲートpoly-Si TFTの連続積層化技術
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19360165
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| Research Institution | Tohoku Gakuin University |
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Principal Investigator |
原 明人 Tohoku Gakuin University, 工学部, 准教授 (20417398)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
北原 邦紀 島根大学, 総合理工学部, 教授 (60304250)
菅原 文彦 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70171139)
鈴木 仁志 東北学院大学, 工学部, 講師 (70351319)
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| Keywords | 薄膜トランジスタ / TFT / 多結晶シリコン / poly-Si / 3次元集積回路 / シリコン / 立体ゲート / ダブルゲート |
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| Research Abstract |
フレキシブルデバイスが注目されている。ユピキタス社会で要求されるフレキシブルデバイスは、全ての機能が一枚のフレキシブル基板上に集積されているデバイスである。このようなデバイスを実現するために、変形可能がフレキシブル薄膜ガラス上に、立体ゲート構造を有する高性能なpoly-Si TFTを3次元的に集積化する技術の開発を目指している。平成19年度は、高性能poly-Si TFTを実現するために不可欠な高品質poly-Si薄膜を形成するために、半導体励起固体CWグリーンレーザーを利用した結晶化装置の試作を行い、本レーザー結晶化装置を利用して液晶用ガラス基板上に大粒径のラテラルpoly-Si薄膜の形成条件を確立した。さらに、形成されたpoly-Si薄膜を利用して、各種プロセスの最適化を進めながら、液晶用ガラス基板上に550℃プロセスによりpoly-Si TFTを作成した。移動度は250cm^2/Vs程度が再現性良く得られている。また、半導体励起固体CWグリーンレーザーを利用して、補強なしのフレキシブル薄膜ガラス上に、ラテラル大粒径結晶の形成実験を進め、その条件を確立した。同時に、自己整合メタルダブルゲートプロセスの立ち上げを目指し、微結晶シリコン薄膜を利用してプロセスの最適化を進めた。また、半導体励起固体CWグリーンレーザーをソース・ドレインの活性化技術へ展開するため、微結晶シリコンTFTに対して、この技術を応用した。その結果、熱活性化SDを有する微結晶シリコンTFTよりも高い性能を実現した。
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